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Artigo de periodico
Electronic properties and hyperfine fields of nickel-related complexes in diamond (2009)
Larico, R; Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C.
Source: Physical Review B. Unidades: EP, IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
LARICO, R et al. Electronic properties and hyperfine fields of nickel-related complexes in diamond. Physical Review B, v. 79, n. 11, p. 115202-1/115202-11, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.79.115202. Acesso em: 30 maio 2024.
APA
Larico, R., Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2009). Electronic properties and hyperfine fields of nickel-related complexes in diamond. Physical Review B, 79( 11), 115202-1/115202-11. doi:10.1103/physrevb.79.115202
NLM
Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic properties and hyperfine fields of nickel-related complexes in diamond [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 79( 11): 115202-1/115202-11.[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.79.115202
Vancouver
Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic properties and hyperfine fields of nickel-related complexes in diamond [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 79( 11): 115202-1/115202-11.[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.79.115202
Trabalho de evento-anais periodico
Trends on 3d transition metal impurities in diamond (2009)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Physica B: Condensed Matter. Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidades: IF, EP
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Trends on 3d transition metal impurities in diamond. Physica B: Condensed Matter. Amsterdam: Elsevier Science. Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2009.08.109. Acesso em: 30 maio 2024. , 2009
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2009). Trends on 3d transition metal impurities in diamond. Physica B: Condensed Matter. Amsterdam: Elsevier Science. doi:10.1016/j.physb.2009.08.109
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Trends on 3d transition metal impurities in diamond [Internet]. Physica B: Condensed Matter. 2009 ; 404( 23-24): 4515-4517.[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2009.08.109
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Trends on 3d transition metal impurities in diamond [Internet]. Physica B: Condensed Matter. 2009 ; 404( 23-24): 4515-4517.[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2009.08.109
Artigo de periodico
Functionalized adamantane: building blocks for nanostructure self-assembly (2009)
Garcia, Joelson Cott; Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C.
Source: Physical Review B. Unidades: EP, IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOPARTÍCULAS
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ABNT
GARCIA, Joelson Cott et al. Functionalized adamantane: building blocks for nanostructure self-assembly. Physical Review B, v. 80, n. 12, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.80.125421. Acesso em: 30 maio 2024.
APA
Garcia, J. C., Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2009). Functionalized adamantane: building blocks for nanostructure self-assembly. Physical Review B, 80( 12). doi:10.1103/physrevb.80.125421
NLM
Garcia JC, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Functionalized adamantane: building blocks for nanostructure self-assembly [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 80( 12):[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.80.125421
Vancouver
Garcia JC, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Functionalized adamantane: building blocks for nanostructure self-assembly [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 80( 12):[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.80.125421
Artigo de periodico
Cobalt-related impurity centers in diamond: electronic properties and hyperfine parameters (2008)
Larico Mamani, Rolando; Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidades: IF, EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
LARICO MAMANI, Rolando et al. Cobalt-related impurity centers in diamond: electronic properties and hyperfine parameters. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 20, n. 41, p. 415220/1-415220/7, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/20/41/415220. Acesso em: 30 maio 2024.
APA
Larico Mamani, R., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2008). Cobalt-related impurity centers in diamond: electronic properties and hyperfine parameters. Journal of Physics-Condensed Matter, 20( 41), 415220/1-415220/7. doi:10.1088/0953-8984/20/41/415220
NLM
Larico Mamani R, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Cobalt-related impurity centers in diamond: electronic properties and hyperfine parameters [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2008 ; 20( 41): 415220/1-415220/7.[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/20/41/415220
Vancouver
Larico Mamani R, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Cobalt-related impurity centers in diamond: electronic properties and hyperfine parameters [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2008 ; 20( 41): 415220/1-415220/7.[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/20/41/415220
Artigo de periodico
Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter (2007)
Justo Filho, João Francisco ; Menezes, R D; Assali, L. V. C.
Source: Physical Review B. Unidades: EP, IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e MENEZES, R D e ASSALI, L. V. C. Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter. Physical Review B, v. 75, n. 4, p. 045303/1-045303/5, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.045303. Acesso em: 30 maio 2024.
APA
Justo Filho, J. F., Menezes, R. D., & Assali, L. V. C. (2007). Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter. Physical Review B, 75( 4), 045303/1-045303/5. doi:10.1103/physrevb.75.045303
NLM
Justo Filho JF, Menezes RD, Assali LVC. Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 4): 045303/1-045303/5.[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.045303
Vancouver
Justo Filho JF, Menezes RD, Assali LVC. Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 4): 045303/1-045303/5.[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.045303
Artigo de periodico
Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors (2007)
Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C.
Source: Diamond and Related Materials. Unidades: EP, IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ÓPTICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e ASSALI, L. V. C. Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors. Diamond and Related Materials, v. 16, n. 4-7, p. 1429-1432, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.10.005. Acesso em: 30 maio 2024.
APA
Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2007). Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors. Diamond and Related Materials, 16( 4-7), 1429-1432. doi:10.1016/j.diamond.2006.10.005
NLM
Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 1429-1432.[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.10.005
Vancouver
Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 1429-1432.[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.10.005
Artigo de periodico
Cobalt in diamond: an ab initio investigation (2007)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Larico, R; Justo Filho, João Francisco
Source: Diamond and Related Materials. Unidades: IF, EP
Subjects: SEMICONDUTORES, ÓPTICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. et al. Cobalt in diamond: an ab initio investigation. Diamond and Related Materials, v. 16, n. 4-7, p. 819-822, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.09.014. Acesso em: 30 maio 2024.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., Larico, R., & Justo Filho, J. F. (2007). Cobalt in diamond: an ab initio investigation. Diamond and Related Materials, 16( 4-7), 819-822. doi:10.1016/j.diamond.2006.09.014
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Larico R, Justo Filho JF. Cobalt in diamond: an ab initio investigation [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 819-822.[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.09.014
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Larico R, Justo Filho JF. Cobalt in diamond: an ab initio investigation [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 819-822.[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.09.014
Artigo de periodico
Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes (2006)
Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C.
Source: Physica B. Unidades: EP, IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MUDANÇA DE FASE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e ASSALI, L. V. C. Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes. Physica B, v. 376, p. 378-381, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.097. Acesso em: 30 maio 2024.
APA
Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2006). Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes. Physica B, 376, 378-381. doi:10.1016/j.physb.2005.12.097
NLM
Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 378-381.[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.097
Vancouver
Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 378-381.[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.097
Artigo de periodico
Manganese impurities in boron nitride (2006)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Applied Physics Lettes. Unidades: IF, EP
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Manganese impurities in boron nitride. Applied Physics Lettes, v. 89, n. 7, p. 07201/1-072102/3, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2266930. Acesso em: 30 maio 2024.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2006). Manganese impurities in boron nitride. Applied Physics Lettes, 89( 7), 07201/1-072102/3. doi:10.1063/1.2266930
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Manganese impurities in boron nitride [Internet]. Applied Physics Lettes. 2006 ; 89( 7): 07201/1-072102/3.[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2266930
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Manganese impurities in boron nitride [Internet]. Applied Physics Lettes. 2006 ; 89( 7): 07201/1-072102/3.[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2266930
Artigo de periodico
Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond (2006)
Larico, R; Assali, L. V. C. ; Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes
Source: Physica B. Unidades: EP, IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA DE SPIN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LARICO, R et al. Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond. Physica B, v. 376, p. 292-295, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.075. Acesso em: 30 maio 2024.
APA
Larico, R., Assali, L. V. C., Justo Filho, J. F., & Machado, W. V. M. (2006). Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond. Physica B, 376, 292-295. doi:10.1016/j.physb.2005.12.075
NLM
Larico R, Assali LVC, Justo Filho JF, Machado WVM. Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 292-295.[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.075
Vancouver
Larico R, Assali LVC, Justo Filho JF, Machado WVM. Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 292-295.[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.075
Artigo de periodico
Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2 (2006)
Ayres, Frederico; Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Applied Physics Letters. Unidades: IF, EP
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, DETETORES, MERCÚRIO (ELEMENTO QUÍMICO), ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AYRES, Frederico et al. Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2. Applied Physics Letters, v. 88, n. 1, p. 011918-1/011918-3, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2159573. Acesso em: 30 maio 2024.
APA
Ayres, F., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2006). Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2. Applied Physics Letters, 88( 1), 011918-1/011918-3. doi:10.1063/1.2159573
NLM
Ayres F, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2 [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 1): 011918-1/011918-3.[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2159573
Vancouver
Ayres F, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2 [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 1): 011918-1/011918-3.[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2159573
Artigo de periodico
3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide (2005)
Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Source: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 531-534, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531. Acesso em: 30 maio 2024.
APA
Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2005). 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 531-534. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
NLM
Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 531-534.[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
Vancouver
Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 531-534.[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
Artigo de periodico
Structural and electronic properties of... (2005)
Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C. ; Pereyra, Inés ; Silva, C R S da
Source: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: EP, IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco et al. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 577-580, 2005Tradução . . Acesso em: 30 maio 2024.
APA
Justo Filho, J. F., Assali, L. V. C., Pereyra, I., & Silva, C. R. S. da. (2005). Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 577-580.
NLM
Justo Filho JF, Assali LVC, Pereyra I, Silva CRS da. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 577-580.[citado 2024 maio 30 ]
Vancouver
Justo Filho JF, Assali LVC, Pereyra I, Silva CRS da. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 577-580.[citado 2024 maio 30 ]
Artigo de periodico
A theoretical model for the nickel-related defect centers in diamond (2005)
Larico-Mamani, Rolando; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C. ; Justo Filho, João Francisco
Source: Diamond & Related Materials. Unidades: IF, EP
Subjects: MATERIAIS, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA DE SPIN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LARICO-MAMANI, Rolando et al. A theoretical model for the nickel-related defect centers in diamond. Diamond & Related Materials, v. 14, n. 3-7, p. 380-382, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2004.10.007. Acesso em: 30 maio 2024.
APA
Larico-Mamani, R., Machado, W. V. M., Assali, L. V. C., & Justo Filho, J. F. (2005). A theoretical model for the nickel-related defect centers in diamond. Diamond & Related Materials, 14( 3-7), 380-382. doi:10.1016/j.diamond.2004.10.007
NLM
Larico-Mamani R, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. A theoretical model for the nickel-related defect centers in diamond [Internet]. Diamond & Related Materials. 2005 ; 14( 3-7): 380-382.[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2004.10.007
Vancouver
Larico-Mamani R, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. A theoretical model for the nickel-related defect centers in diamond [Internet]. Diamond & Related Materials. 2005 ; 14( 3-7): 380-382.[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2004.10.007
Artigo de periodico
Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation (2005)
Assali, L. V. C. ; Larico, R; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA DE SPIN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. et al. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 1043-1046, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043. Acesso em: 30 maio 2024.
APA
Assali, L. V. C., Larico, R., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2005). Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 1043-1046. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
NLM
Assali LVC, Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
Vancouver
Assali LVC, Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
Artigo de periodico
A first principles investigation on hypothetical crystalline phases of silicon oxycarbide (2005)
Silva, C R S da; Justo Filho, João Francisco ; Pereyra, Inés ; Assali, L. V. C.
Source: Diamond & Related Materials. Unidades: EP, IF
Subjects: MATERIAIS, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, CRISTALOGRAFIA FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, C R S da et al. A first principles investigation on hypothetical crystalline phases of silicon oxycarbide. Diamond & Related Materials, v. 14, n. 3-7, p. 1142-1145, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2004.12.011. Acesso em: 30 maio 2024.
APA
Silva, C. R. S. da, Justo Filho, J. F., Pereyra, I., & Assali, L. V. C. (2005). A first principles investigation on hypothetical crystalline phases of silicon oxycarbide. Diamond & Related Materials, 14( 3-7), 1142-1145. doi:10.1016/j.diamond.2004.12.011
NLM
Silva CRS da, Justo Filho JF, Pereyra I, Assali LVC. A first principles investigation on hypothetical crystalline phases of silicon oxycarbide [Internet]. Diamond & Related Materials. 2005 ; 14( 3-7): 1142-1145.[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2004.12.011
Vancouver
Silva CRS da, Justo Filho JF, Pereyra I, Assali LVC. A first principles investigation on hypothetical crystalline phases of silicon oxycarbide [Internet]. Diamond & Related Materials. 2005 ; 14( 3-7): 1142-1145.[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2004.12.011
Artigo de periodico
Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride (2005)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 1043-1046, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047. Acesso em: 30 maio 2024.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2005). Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 1043-1046. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047
Artigo de periodico
Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation (2004)
Barbosa, K O; Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Computational Materials Science. Unidades: IF, EP
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
BARBOSA, K O et al. Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation. Computational Materials Science, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.008. Acesso em: 30 maio 2024.
APA
Barbosa, K. O., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2004). Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation. Computational Materials Science. doi:10.1016/j.commatsci.2004.01.008
NLM
Barbosa KO, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation [Internet]. Computational Materials Science. 2004 ;[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.008
Vancouver
Barbosa KO, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation [Internet]. Computational Materials Science. 2004 ;[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.008
Artigo de periodico
Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide (2004)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidades: IF, EP
Subjects: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400016. Acesso em: 30 maio 2024.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2004). Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400016
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400016
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400016
Artigo de periodico
Isolated nickel impurities in diamond: a microscopic model for the electrically active centers (2004)
Larico, Rolando; Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Applied Physics Letters. Unidades: IF, EP
Subjects: RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA ELETRÔNICA, DIAMANTE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LARICO, Rolando et al. Isolated nickel impurities in diamond: a microscopic model for the electrically active centers. Applied Physics Letters, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1645327. Acesso em: 30 maio 2024.
APA
Larico, R., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2004). Isolated nickel impurities in diamond: a microscopic model for the electrically active centers. Applied Physics Letters. doi:10.1063/1.1645327
NLM
Larico R, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Isolated nickel impurities in diamond: a microscopic model for the electrically active centers [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ;[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1645327
Vancouver
Larico R, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Isolated nickel impurities in diamond: a microscopic model for the electrically active centers [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ;[citado 2024 maio 30 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1645327

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