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Trabalho de evento
X-Ray Reflectivity of Amorphous Multi Layers: Interface Modeling (1992)
Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; SANTOS, P. V.; Pereyra, Inés ; Páez Carreño, Marcelo Nelson
Nome do evento: Brazilian School on Semiconductor Physics. Unidades: IF, EP
Assuntos: FÍSICO-QUÍMICA, SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
FANTINI, Márcia Carvalho de Abreu et al. X-Ray Reflectivity of Amorphous Multi Layers: Interface Modeling. 1992, Anais.. Cingapura: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1992. . Acesso em: 11 jul. 2024.
APA
Fantini, M. C. de A., SANTOS, P. V., Pereyra, I., & Páez Carreño, M. N. (1992). X-Ray Reflectivity of Amorphous Multi Layers: Interface Modeling. In . Cingapura: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Fantini MC de A, SANTOS PV, Pereyra I, Páez Carreño MN. X-Ray Reflectivity of Amorphous Multi Layers: Interface Modeling. 1992 ;[citado 2024 jul. 11 ]
Vancouver
Fantini MC de A, SANTOS PV, Pereyra I, Páez Carreño MN. X-Ray Reflectivity of Amorphous Multi Layers: Interface Modeling. 1992 ;[citado 2024 jul. 11 ]
Trabalho de evento
Amorphous silicon thin film field effect transistors (1989)
Andrade, Adnei Melges de ; Sanematsu, Mário Sabro; Fonseca, Fernando Josepetti ; Andrade, Carlos Américo Morato de; Pereyra, Inés ; Martins, R F P; Fortunato, E
Fonte: Thin Films and Small Particles: Proceedings. Nome do evento: Latin-American Symposium on Surface Physics. Unidades: IEE, EP
Assuntos: FILMES FINOS, TRANSISTORES, SILÍCIO
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ABNT
ANDRADE, Adnei Melges de et al. Amorphous silicon thin film field effect transistors. 1989, Anais.. Singapore: World Scientific, 1989. . Acesso em: 11 jul. 2024.
APA
Andrade, A. M. de, Sanematsu, M. S., Fonseca, F. J., Andrade, C. A. M. de, Pereyra, I., Martins, R. F. P., & Fortunato, E. (1989). Amorphous silicon thin film field effect transistors. In Thin Films and Small Particles: Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Andrade AM de, Sanematsu MS, Fonseca FJ, Andrade CAM de, Pereyra I, Martins RFP, Fortunato E. Amorphous silicon thin film field effect transistors. Thin Films and Small Particles: Proceedings. 1989 ;[citado 2024 jul. 11 ]
Vancouver
Andrade AM de, Sanematsu MS, Fonseca FJ, Andrade CAM de, Pereyra I, Martins RFP, Fortunato E. Amorphous silicon thin film field effect transistors. Thin Films and Small Particles: Proceedings. 1989 ;[citado 2024 jul. 11 ]
Trabalho de evento
Density of gap states in non-stoichiometric a-'SI''CX': h films (1989)
Onmori, Roberto Koji ; Ramos, Carlos Alberto Santos; Páez Carreño, Marcelo Nelson ; Andrade, Adnei Melges de ; Pereyra, Inés
Fonte: Thin Films and Small Particles: Proceedings. Nome do evento: Latin-American Symposium on Surface Physics. Unidade: EP
Assunto: ESTEQUIOMETRIA INDUSTRIAL
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ABNT
ONMORI, Roberto Koji et al. Density of gap states in non-stoichiometric a-'SI''CX': h films. 1989, Anais.. Singapore: World Scientific, 1989. . Acesso em: 11 jul. 2024.
APA
Onmori, R. K., Ramos, C. A. S., Páez Carreño, M. N., Andrade, A. M. de, & Pereyra, I. (1989). Density of gap states in non-stoichiometric a-'SI''CX': h films. In Thin Films and Small Particles: Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Onmori RK, Ramos CAS, Páez Carreño MN, Andrade AM de, Pereyra I. Density of gap states in non-stoichiometric a-'SI''CX': h films. Thin Films and Small Particles: Proceedings. 1989 ;[citado 2024 jul. 11 ]
Vancouver
Onmori RK, Ramos CAS, Páez Carreño MN, Andrade AM de, Pereyra I. Density of gap states in non-stoichiometric a-'SI''CX': h films. Thin Films and Small Particles: Proceedings. 1989 ;[citado 2024 jul. 11 ]

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