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Trabalho de evento-resumo
Dielectric properties of phosphate glasses doped with cobalt oxide (2003)
Bergo, Paulo Victor Alburquerque; Pontuschka, W. M.; Prison, José Mário; motta, c c; Martinelli, J R
Source: Abstracts. Conference titles: Annual Meeting on the International Commission on Glass. Unidade: IF
Subjects: VIDRO, SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
BERGO, Paulo Victor Alburquerque et al. Dielectric properties of phosphate glasses doped with cobalt oxide. 2003, Anais.. São Paulo: ABIVIDRO, 2003. . Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Bergo, P. V. A., Pontuschka, W. M., Prison, J. M., motta, c c, & Martinelli, J. R. (2003). Dielectric properties of phosphate glasses doped with cobalt oxide. In Abstracts. São Paulo: ABIVIDRO.
NLM
Bergo PVA, Pontuschka WM, Prison JM, motta c c, Martinelli JR. Dielectric properties of phosphate glasses doped with cobalt oxide. Abstracts. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Vancouver
Bergo PVA, Pontuschka WM, Prison JM, motta c c, Martinelli JR. Dielectric properties of phosphate glasses doped with cobalt oxide. Abstracts. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Artigo de periodico
Sensores inteligentes - nariz eletrônico (2003)
Valdivia, Christian Diaz; Ramírez Fernandez, Francisco Javier ; Silva, Paulo Roberto de Souza; Faria, Thiago Henrique Daud de
Source: Produção em Iniciação Científica da Escola Politécnica da USP, PIC-EPUSP. Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, RECONHECIMENTO DE PADRÕES
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ABNT
VALDIVIA, Christian Diaz et al. Sensores inteligentes - nariz eletrônico. Produção em Iniciação Científica da Escola Politécnica da USP, PIC-EPUSP, n. 2, 2003Tradução . . Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Valdivia, C. D., Ramírez Fernandez, F. J., Silva, P. R. de S., & Faria, T. H. D. de. (2003). Sensores inteligentes - nariz eletrônico. Produção em Iniciação Científica da Escola Politécnica da USP, PIC-EPUSP, ( 2).
NLM
Valdivia CD, Ramírez Fernandez FJ, Silva PR de S, Faria THD de. Sensores inteligentes - nariz eletrônico. Produção em Iniciação Científica da Escola Politécnica da USP, PIC-EPUSP. 2003 ;( 2):[citado 2024 nov. 03 ]
Vancouver
Valdivia CD, Ramírez Fernandez FJ, Silva PR de S, Faria THD de. Sensores inteligentes - nariz eletrônico. Produção em Iniciação Científica da Escola Politécnica da USP, PIC-EPUSP. 2003 ;( 2):[citado 2024 nov. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Theoretical study of natives defects in BN-nanotubes (2003)
Baierle, Rogério José; Schmidt, Tomé Mauro; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, NANOTECNOLOGIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, POLÍMEROS (MATERIAIS)
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ABNT
BAIERLE, Rogério José e SCHMIDT, Tomé Mauro e FAZZIO, Adalberto. Theoretical study of natives defects in BN-nanotubes. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Baierle, R. J., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2003). Theoretical study of natives defects in BN-nanotubes. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Theoretical study of natives defects in BN-nanotubes. Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Vancouver
Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Theoretical study of natives defects in BN-nanotubes. Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Vacancies in amorphous silicon: a first principles study (2003)
Miranda, Caetano Rodrigues; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MIRANDA, Caetano Rodrigues e ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e FAZZIO, Adalberto. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Miranda, C. R., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2003). Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Miranda CR, Arantes Junior JT, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Vancouver
Miranda CR, Arantes Junior JT, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Electronic properties of organic polymer films (2003)
Ferretti, A; Bussi, G; Ruini, A; Molinari, E; Caldas, Marília Junqueira
Source: Book of Abstracts I (Oral). Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, LUMINESCÊNCIA, POLÍMEROS (MATERIAIS)
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ABNT
FERRETTI, A et al. Electronic properties of organic polymer films. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Ferretti, A., Bussi, G., Ruini, A., Molinari, E., & Caldas, M. J. (2003). Electronic properties of organic polymer films. In Book of Abstracts I (Oral). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Ferretti A, Bussi G, Ruini A, Molinari E, Caldas MJ. Electronic properties of organic polymer films. Book of Abstracts I (Oral). 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Vancouver
Ferretti A, Bussi G, Ruini A, Molinari E, Caldas MJ. Electronic properties of organic polymer films. Book of Abstracts I (Oral). 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Comportamento da energia do GAP e de propriedades estruturais da liga quaternária 'AL IND. x''Ga IND. y''In IND. 1-x-y'N (2003)
Marques, Marcelo; Teles, Lara K; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MARQUES, Marcelo et al. Comportamento da energia do GAP e de propriedades estruturais da liga quaternária 'AL IND. x''Ga IND. y''In IND. 1-x-y'N. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Marques, M., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2003). Comportamento da energia do GAP e de propriedades estruturais da liga quaternária 'AL IND. x''Ga IND. y''In IND. 1-x-y'N. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR. Comportamento da energia do GAP e de propriedades estruturais da liga quaternária 'AL IND. x''Ga IND. y''In IND. 1-x-y'N. Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Vancouver
Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR. Comportamento da energia do GAP e de propriedades estruturais da liga quaternária 'AL IND. x''Ga IND. y''In IND. 1-x-y'N. Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Atomic and electronic structures of 'IND. x''Ga IND. 1-x'N quantum dots (2003)
Oliveira, C de; Nogueira, R A; Alves, A; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
OLIVEIRA, C de et al. Atomic and electronic structures of 'IND. x''Ga IND. 1-x'N quantum dots. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Oliveira, C. de, Nogueira, R. A., Alves, A., & Leite, J. R. (2003). Atomic and electronic structures of 'IND. x''Ga IND. 1-x'N quantum dots. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Oliveira C de, Nogueira RA, Alves A, Leite JR. Atomic and electronic structures of 'IND. x''Ga IND. 1-x'N quantum dots. Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Vancouver
Oliveira C de, Nogueira RA, Alves A, Leite JR. Atomic and electronic structures of 'IND. x''Ga IND. 1-x'N quantum dots. Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes (2003)
Fagan, Solange B; Mota, R; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Book of Abstracts I (Oral). Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
FAGAN, Solange B et al. Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Fagan, S. B., Mota, R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes. In Book of Abstracts I (Oral). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes. Book of Abstracts I (Oral). 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Vancouver
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes. Book of Abstracts I (Oral). 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
First-principles study of Mn interstitial and nature of hole-mediated ferromagnetism in 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' As (2003)
Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto; Santos, R R dos; Oliveira, L E
Source: Books Abstracts I (Oral). Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
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ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. First-principles study of Mn interstitial and nature of hole-mediated ferromagnetism in 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' As. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., Santos, R. R. dos, & Oliveira, L. E. (2003). First-principles study of Mn interstitial and nature of hole-mediated ferromagnetism in 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' As. In Books Abstracts I (Oral). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. First-principles study of Mn interstitial and nature of hole-mediated ferromagnetism in 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' As. Books Abstracts I (Oral). 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. First-principles study of Mn interstitial and nature of hole-mediated ferromagnetism in 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' As. Books Abstracts I (Oral). 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Vacancies in amorphous silicon: a first principles study (2003)
Miranda, Caetano Rodrigues; Antonelli, Alex; Fazzio, Adalberto; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIRANDA, Caetano Rodrigues et al. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Miranda, C. R., Antonelli, A., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2003). Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Miranda CR, Antonelli A, Fazzio A, Silva AJR da. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Vancouver
Miranda CR, Antonelli A, Fazzio A, Silva AJR da. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Detection properties of CdZnTe semiconductor for diagnostic X-ray spectroscopic applications (2003)
Freitas, M B; Medeiros, Fernando Homem de Mello; Yoshimura, Elisabeth Mateus
Source: Book of Abstracts. Conference titles: International Meeting on Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: MEDICINA NUCLEAR, SEMICONDUTORES, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FREITAS, M B e MEDEIROS, Fernando Homem de Mello e YOSHIMURA, Elisabeth Mateus. Detection properties of CdZnTe semiconductor for diagnostic X-ray spectroscopic applications. 2003, Anais.. Badajoz: APHYS, 2003. . Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Freitas, M. B., Medeiros, F. H. de M., & Yoshimura, E. M. (2003). Detection properties of CdZnTe semiconductor for diagnostic X-ray spectroscopic applications. In Book of Abstracts. Badajoz: APHYS.
NLM
Freitas MB, Medeiros FH de M, Yoshimura EM. Detection properties of CdZnTe semiconductor for diagnostic X-ray spectroscopic applications. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Vancouver
Freitas MB, Medeiros FH de M, Yoshimura EM. Detection properties of CdZnTe semiconductor for diagnostic X-ray spectroscopic applications. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
New opportunities in X-ray characterization of semiconductors (2003)
Morelhão, Sérgio Luiz
Source: Book of Abstracts. Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORELHÃO, Sérgio Luiz. New opportunities in X-ray characterization of semiconductors. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Morelhão, S. L. (2003). New opportunities in X-ray characterization of semiconductors. In Book of Abstracts. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Morelhão SL. New opportunities in X-ray characterization of semiconductors. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Vancouver
Morelhão SL. New opportunities in X-ray characterization of semiconductors. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Local and nanoscopic structure of sodium-doped siloxane-PPO transparent ionic conductors (2003)
Chaker, J A; Briois, V; Dahmouche, K; Santilli, C V; Pulcinelli, S H; Judeinstein, P; Flank, A M; Craievich, Aldo Felix
Source: Abstracts. Conference titles: Annual Meeting on the International Commission on Glass. Unidade: IF
Subjects: VIDRO, SEMICONDUTORES, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CHAKER, J A et al. Local and nanoscopic structure of sodium-doped siloxane-PPO transparent ionic conductors. 2003, Anais.. São Paulo: ABIVIDRO, 2003. . Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Chaker, J. A., Briois, V., Dahmouche, K., Santilli, C. V., Pulcinelli, S. H., Judeinstein, P., et al. (2003). Local and nanoscopic structure of sodium-doped siloxane-PPO transparent ionic conductors. In Abstracts. São Paulo: ABIVIDRO.
NLM
Chaker JA, Briois V, Dahmouche K, Santilli CV, Pulcinelli SH, Judeinstein P, Flank AM, Craievich AF. Local and nanoscopic structure of sodium-doped siloxane-PPO transparent ionic conductors. Abstracts. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Vancouver
Chaker JA, Briois V, Dahmouche K, Santilli CV, Pulcinelli SH, Judeinstein P, Flank AM, Craievich AF. Local and nanoscopic structure of sodium-doped siloxane-PPO transparent ionic conductors. Abstracts. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Trabalho de evento
Caracterização de feixes padronizados de raios x de tubos de diagnóstico pelos espectros obtidos com detectores seicondutores de alta resolução (2003)
Machado, Ana C B; Herdade, Silvio Bruni
Conference titles: Congresso Brasileiro de Física Médica. Unidade: IF
Subjects: MEDICINA NUCLEAR, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MACHADO, Ana C B e HERDADE, Silvio Bruni. Caracterização de feixes padronizados de raios x de tubos de diagnóstico pelos espectros obtidos com detectores seicondutores de alta resolução. 2003, Anais.. Porto Alegre: PUCRS, 2003. . Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Machado, A. C. B., & Herdade, S. B. (2003). Caracterização de feixes padronizados de raios x de tubos de diagnóstico pelos espectros obtidos com detectores seicondutores de alta resolução. In . Porto Alegre: PUCRS.
NLM
Machado ACB, Herdade SB. Caracterização de feixes padronizados de raios x de tubos de diagnóstico pelos espectros obtidos com detectores seicondutores de alta resolução. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Vancouver
Machado ACB, Herdade SB. Caracterização de feixes padronizados de raios x de tubos de diagnóstico pelos espectros obtidos com detectores seicondutores de alta resolução. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
A comparative study on titanium impurities in silicon, diamond and silicon carbide (2003)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Book of Abstracts. Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidades: IF, EP
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. A comparative study on titanium impurities in silicon, diamond and silicon carbide. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2003). A comparative study on titanium impurities in silicon, diamond and silicon carbide. In Book of Abstracts. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. A comparative study on titanium impurities in silicon, diamond and silicon carbide. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. A comparative study on titanium impurities in silicon, diamond and silicon carbide. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride (2003)
Scopel, Wanderla Luis ; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Prado, Rogerio Junqueira; Orellana, Walter M; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto ; Pereyra, Inés
Source: Book of Abstracts. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidades: IF, EP
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOPEL, Wanderla Luis et al. Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Scopel, W. L., Fantini, M. C. de A., Prado, R. J., Orellana, W. M., Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Pereyra, I. (2003). Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride. In Book of Abstracts. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Scopel WL, Fantini MC de A, Prado RJ, Orellana WM, Silva AJR da, Fazzio A, Pereyra I. Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Vancouver
Scopel WL, Fantini MC de A, Prado RJ, Orellana WM, Silva AJR da, Fazzio A, Pereyra I. Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
First principles materials study for spintronics: MnAs and MnN (2003)
Paiva, R de; Alves, J L A; Nogueira, R A; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Book of Abstract. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAIVA, R de et al. First principles materials study for spintronics: MnAs and MnN. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Paiva, R. de, Alves, J. L. A., Nogueira, R. A., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2003). First principles materials study for spintronics: MnAs and MnN. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. First principles materials study for spintronics: MnAs and MnN. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Vancouver
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. First principles materials study for spintronics: MnAs and MnN. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Artigo de periodico
Low-temperature magnetization and exchange interaction in 'Sn IND.1-X' 'Gd IND.X' Te (2003)
Gratens, X; Bindilatti, V.; Oliveira Jr., N. F.; Golacki, Z
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GRATENS, X et al. Low-temperature magnetization and exchange interaction in 'Sn IND.1-X' 'Gd IND.X' Te. Physica B, v. 329, p. 1249-1250, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Gratens, X., Bindilatti, V., Oliveira Jr., N. F., & Golacki, Z. (2003). Low-temperature magnetization and exchange interaction in 'Sn IND.1-X' 'Gd IND.X' Te. Physica B, 329, 1249-1250. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b
NLM
Gratens X, Bindilatti V, Oliveira Jr. NF, Golacki Z. Low-temperature magnetization and exchange interaction in 'Sn IND.1-X' 'Gd IND.X' Te [Internet]. Physica B. 2003 ; 329 1249-1250.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b
Vancouver
Gratens X, Bindilatti V, Oliveira Jr. NF, Golacki Z. Low-temperature magnetization and exchange interaction in 'Sn IND.1-X' 'Gd IND.X' Te [Internet]. Physica B. 2003 ; 329 1249-1250.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b
Trabalho de evento-resumo
I-V and C-V characteristics of high-k dielectrics based MOS devices (2003)
Sousa, J S de; Barros, E B; Freire, V N; Silva Júnior, Eronides Felisberto da; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUSA, J S de et al. I-V and C-V characteristics of high-k dielectrics based MOS devices. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Sousa, J. S. de, Barros, E. B., Freire, V. N., Silva Júnior, E. F. da, Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2003). I-V and C-V characteristics of high-k dielectrics based MOS devices. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Sousa JS de, Barros EB, Freire VN, Silva Júnior EF da, Leite JR, Scolfaro LMR. I-V and C-V characteristics of high-k dielectrics based MOS devices. Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Vancouver
Sousa JS de, Barros EB, Freire VN, Silva Júnior EF da, Leite JR, Scolfaro LMR. I-V and C-V characteristics of high-k dielectrics based MOS devices. Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Interação elétron-fônon: um estudo da densidade de estados em um ponto quântico usando o método da função de green (2003)
Oliveira, Solemar Silva; Hai, Guo-Qiang
Source: Resumos. Conference titles: Workshop da Pós-Graduação do IFSC. Unidade: IFSC
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Solemar Silva e HAI, Guo-Qiang. Interação elétron-fônon: um estudo da densidade de estados em um ponto quântico usando o método da função de green. 2003, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP, 2003. . Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Oliveira, S. S., & Hai, G. -Q. (2003). Interação elétron-fônon: um estudo da densidade de estados em um ponto quântico usando o método da função de green. In Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP.
NLM
Oliveira SS, Hai G-Q. Interação elétron-fônon: um estudo da densidade de estados em um ponto quântico usando o método da função de green. Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]
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Oliveira SS, Hai G-Q. Interação elétron-fônon: um estudo da densidade de estados em um ponto quântico usando o método da função de green. Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 03 ]

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