Indium Oxynitride (InNO) Radiation Sensors Calibration (2017)
- Authors:
- USP affiliated authors: ONMORI, ROBERTO KOJI - EP ; JORGE, FABIO DE OLIVEIRA MORAES - IF
- Unidades: EP; IF
- DOI: 10.1109/JSEN.2017.2670080
- Subjects: AEROSSOL; ÓPTICA ELETRÔNICA; FOTODETECTORES; FÍSICA ATMOSFÉRICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: IEEE Sensors Journal
- ISSN: 1558-1748
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 17, n. 8, p. 2372 - 2376, 2017
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
SPARVOLI, Marina et al. Indium Oxynitride (InNO) Radiation Sensors Calibration. IEEE Sensors Journal, v. 17, n. 8, p. 2372 - 2376, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/JSEN.2017.2670080. Acesso em: 13 fev. 2026. -
APA
Sparvoli, M., Onmori, R. K., Jorge, F. de O. M., & Gazziro, M. A. (2017). Indium Oxynitride (InNO) Radiation Sensors Calibration. IEEE Sensors Journal, 17( 8), 2372 - 2376. doi:10.1109/JSEN.2017.2670080 -
NLM
Sparvoli M, Onmori RK, Jorge F de OM, Gazziro MA. Indium Oxynitride (InNO) Radiation Sensors Calibration [Internet]. IEEE Sensors Journal. 2017 ; 17( 8): 2372 - 2376.[citado 2026 fev. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1109/JSEN.2017.2670080 -
Vancouver
Sparvoli M, Onmori RK, Jorge F de OM, Gazziro MA. Indium Oxynitride (InNO) Radiation Sensors Calibration [Internet]. IEEE Sensors Journal. 2017 ; 17( 8): 2372 - 2376.[citado 2026 fev. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1109/JSEN.2017.2670080 - Caracterização de sedimentos marinhos do Rio Casqueiro, Cubatão, São Paulo, por espectroscopia Mössbauer, PIXE e susceptibilidade magnética: um estudo de magnetismo ambiental
- Operation of Neuronal Membrane Simulator Circuit for Tests with Memristor Based on Graphene and Graphene Oxide
- Caracterização de sedimentos do litoral de São Paulo, da plataforma continental do Rio de Janeiro e da ilha Rei George, Antártica, por espectroscopia Mössbauer, pixe, e susceptibilidade magnética, um estudo de magnetismo ambiental
- Fabricação, caracterização e modelamento de um dispositivo de efeito de campo à base de poli(o-metoxianilina)
- Influência do conteúdo de carbono nos materiais de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-'IND.1-X SI''IND.X C'h)
- Morphology and electrical properties of dEPDM rubber and PAni blends
- Circular economy of ITO thin films deposited on glass obtained from degraded OLED devices
- Langmuir and Langmuir-Blodgett films from the N-hexyl-pyrrole-thiophene (AB) semi-amphiphilic copolymer
- Devide model for POMA field-effect transistor
- Transistor por efeito de campo e fotocondutor de poli(o-metoxianilina)
Informações sobre o DOI: 10.1109/JSEN.2017.2670080 (Fonte: oaDOI API)
Download do texto completo
| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
| Indium_Oxynitride_InNO_Ra... |
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
