Fabricação, caracterização e modelamento de um dispositivo de efeito de campo à base de poli(o-metoxianilina) (1997)
- Authors:
- Autor USP: ONMORI, ROBERTO KOJI - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEE
- Assunto: TRANSISTORES
- Language: Português
- Abstract: Essa tese apresenta resultados de um trabalho sobre fabricação e caracterização de um transistor por efeito de campo material (FET) tendo a poli(o-metoxianilina)- POMA - como material ativo. A POMA é um polímero condutivo cujas propriedades físicas, prncipalmente elétricas, são bastante estáveis quando em presença do ar. O mecanismo de dopagem , diferentemente dos demais polímeros condutivos, se dá por protonação da cadeia, não alterando a concentração de portadores na cadeia polimérica. Sua condutividade é facilmente controlável, sob dopagem ácida e/ou desdopagem base, permanecendo no intervalo entre '10 POT. -8' e '10 POT.2 S/cm o que lhe confere características semicondutoras e, portanto, aplicável em princípio adispositivos elêtronicos. Foi feita uma adapatação de processos de microeletrônica tradicional para a confeccão desse dispositivo, uma vez que determinadas etapas de preparação de subatratos e de fotogravação eram agressivas ao material polimérico, e que o processo de dopagem química da POMA atacava a estrutura do fotoresiste. O FET desenvolvido apresentou modulação por voltagem de porta 'V IND.g'= 0. A corrente de dreno 'I IND.d' aumentou significativamente sob iluminação naregião da radiação visível, mostrando o carácter fotocondutor da POMA dopada e, portanto, do dispositivo. Um modelo teórico baseado nos mecanismos de condução elêtronica da POMA, e de efeitos de interface metal-polímero, foi eleborado e seajustou muito bem aos resultados experimentais.
- Imprenta:
- Data da defesa: 21.05.1997
-
ABNT
ONMORI, Roberto Koji. Fabricação, caracterização e modelamento de um dispositivo de efeito de campo à base de poli(o-metoxianilina). 1997. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1997. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-113334/pt-br.php. Acesso em: 30 dez. 2025. -
APA
Onmori, R. K. (1997). Fabricação, caracterização e modelamento de um dispositivo de efeito de campo à base de poli(o-metoxianilina) (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-113334/pt-br.php -
NLM
Onmori RK. Fabricação, caracterização e modelamento de um dispositivo de efeito de campo à base de poli(o-metoxianilina) [Internet]. 1997 ;[citado 2025 dez. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-113334/pt-br.php -
Vancouver
Onmori RK. Fabricação, caracterização e modelamento de um dispositivo de efeito de campo à base de poli(o-metoxianilina) [Internet]. 1997 ;[citado 2025 dez. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-113334/pt-br.php - Morphology and electrical properties of dEPDM rubber and PAni blends
- Influência do conteúdo de carbono nos materiais de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-'IND.1-X SI''IND.X C'h)
- Devide model for POMA field-effect transistor
- Device model for polyaniline field-effect transistor
- Síntese e caracterização de polímeros derivados de PPV
- The conductivity and morphology of the blends of poly(0-methoxyaniline) with poly(p-hydroxystytyrene) and poly(p-hydroxystyrene)-b-polyisoprene
- Semiconducting PPVs with different conjugation lenghts
- Device model for polyaniline field-effect transistor
- Poly (N-vinylcarbazole) conductor trails for microelectronics devices
- Oxygen plasma etching study for conductor trails
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
