Sulfur radicals as tethers for the adsorption of aromatic molecules on silicon surface (2012)
- Authors:
- Autor USP: FERRAZ, ARMANDO CORBANI - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1166/jctn.2012.2057
- Subjects: SILÍCIO; DENSIDADE
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Stevenson Ranch
- Date published: 2012
- Source:
- Título: Journal of Computational and Theoretical Nanoscience
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.9, n.4, p. 541-548, abr.2012
- Status:
- Artigo possui versão em acesso aberto em repositório (Green Open Access)
- Versão do Documento:
- Versão submetida (Pré-print)
- Acessar versão aberta:
-
ABNT
MIOTTO, R e FERRAZ, Armando Corbani. Sulfur radicals as tethers for the adsorption of aromatic molecules on silicon surface. Journal of Computational and Theoretical Nanoscience, v. 9, n. 4, p. 541-548, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1166/jctn.2012.2057. Acesso em: 07 maio 2026. -
APA
Miotto, R., & Ferraz, A. C. (2012). Sulfur radicals as tethers for the adsorption of aromatic molecules on silicon surface. Journal of Computational and Theoretical Nanoscience, 9( 4), 541-548. doi:10.1166/jctn.2012.2057 -
NLM
Miotto R, Ferraz AC. Sulfur radicals as tethers for the adsorption of aromatic molecules on silicon surface [Internet]. Journal of Computational and Theoretical Nanoscience. 2012 ;9( 4): 541-548.[citado 2026 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1166/jctn.2012.2057 -
Vancouver
Miotto R, Ferraz AC. Sulfur radicals as tethers for the adsorption of aromatic molecules on silicon surface [Internet]. Journal of Computational and Theoretical Nanoscience. 2012 ;9( 4): 541-548.[citado 2026 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1166/jctn.2012.2057 - Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods
- Estrutura eletronica de super-redes
- Superficie de semicondutores
- Theoretical studies of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' superlattices
- Electronic band structure of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' and ' (GAAS) IND.N'' (ZNSE) IND.N' superlattices
- Adsorção e dissociação molecular do oxigênio na superfície do CdTe (110)
- Passivização da superfície InP(001) através da adsorção e dissociação da molécula de H2S
- Maleic anhydride adsorption on silicon (001)
- Geometry and stability of the ' ('ga''as') IND.N'' ('in''as') IND.N' and ' ('ga'P) IND.N'' ('in'P) IND.N' ultrathin superlattices
- Estados eletronicos e estrutura atomica da interface znse / znte (001)
Informações sobre a disponibilidade de versões do artigo em acesso aberto coletadas automaticamente via oaDOI API (Unpaywall).
Por se tratar de integração com serviço externo, podem existir diferentes versões do trabalho (como preprints ou postprints), que podem diferir da versão publicada.
Download do texto completo
| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
 |
Sulfur Radicals as Tether... | Direct link |
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
