Dependence of brittle-to-ductile transition on crystallographic direction in diamond turning of single-crystal silicon (2012)
- Authors:
- USP affiliated authors: JASINEVICIUS, RENATO GOULART - EESC ; DUDUCH, JAIME GILBERTO - EESC ; MONTANARI, LUCIANA - EESC
- Unidade: EESC
- DOI: 10.1177/0954405411421108
- Subjects: TORNEAMENTO; DIAMANTE; MUDANÇA DE FASE; CRISTALOGRAFIA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Proceedings of Institution of Mechanical Engineers. Part B. Journal of Engineering Manufacture
- ISSN: 0954-4054
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 226, n. 3, p. 445-458, Mar. 2012
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
JASINEVICIUS, Renato Goulart et al. Dependence of brittle-to-ductile transition on crystallographic direction in diamond turning of single-crystal silicon. Proceedings of Institution of Mechanical Engineers. Part B. Journal of Engineering Manufacture, v. 226, n. 3, p. 445-458, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1177/0954405411421108. Acesso em: 14 fev. 2026. -
APA
Jasinevicius, R. G., Duduch, J. G., Montanari, L., & Pizani, P. S. (2012). Dependence of brittle-to-ductile transition on crystallographic direction in diamond turning of single-crystal silicon. Proceedings of Institution of Mechanical Engineers. Part B. Journal of Engineering Manufacture, 226( 3), 445-458. doi:10.1177/0954405411421108 -
NLM
Jasinevicius RG, Duduch JG, Montanari L, Pizani PS. Dependence of brittle-to-ductile transition on crystallographic direction in diamond turning of single-crystal silicon [Internet]. Proceedings of Institution of Mechanical Engineers. Part B. Journal of Engineering Manufacture. 2012 ; 226( 3): 445-458.[citado 2026 fev. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1177/0954405411421108 -
Vancouver
Jasinevicius RG, Duduch JG, Montanari L, Pizani PS. Dependence of brittle-to-ductile transition on crystallographic direction in diamond turning of single-crystal silicon [Internet]. Proceedings of Institution of Mechanical Engineers. Part B. Journal of Engineering Manufacture. 2012 ; 226( 3): 445-458.[citado 2026 fev. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1177/0954405411421108 - Phase transformation and residual stress probed by Raman spectroscopy in diamond-turned single crystal silicon
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Informações sobre o DOI: 10.1177/0954405411421108 (Fonte: oaDOI API)
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