Structural-electronic aspects related to the near-infrared light emission of Fe-doped silicon films (2011)
- Authors:
- Autor USP: ZANATTA, ANTONIO RICARDO - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1016/j.ssc.2011.02.012
- Subjects: ÓPTICA (PROPRIEDADES); FILMES FINOS; EMISSÃO DA LUZ; LUMINESCÊNCIA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Solid State Communications
- ISSN: 0038-1098
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 151, n. 8, p. 587-590, Apr. 2011
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
GALLO, I. B. e ZANATTA, Antonio Ricardo. Structural-electronic aspects related to the near-infrared light emission of Fe-doped silicon films. Solid State Communications, v. 151, n. 8, p. 587-590, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2011.02.012. Acesso em: 10 jan. 2026. -
APA
Gallo, I. B., & Zanatta, A. R. (2011). Structural-electronic aspects related to the near-infrared light emission of Fe-doped silicon films. Solid State Communications, 151( 8), 587-590. doi:10.1016/j.ssc.2011.02.012 -
NLM
Gallo IB, Zanatta AR. Structural-electronic aspects related to the near-infrared light emission of Fe-doped silicon films [Internet]. Solid State Communications. 2011 ; 151( 8): 587-590.[citado 2026 jan. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2011.02.012 -
Vancouver
Gallo IB, Zanatta AR. Structural-electronic aspects related to the near-infrared light emission of Fe-doped silicon films [Internet]. Solid State Communications. 2011 ; 151( 8): 587-590.[citado 2026 jan. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2011.02.012 - Structural investigation of cobalt oxide films grown by reactive DC magnetron sputtering
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Informações sobre o DOI: 10.1016/j.ssc.2011.02.012 (Fonte: oaDOI API)
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