Studies of phosphorus gaussian profile emitter silicon solar cells (2001)
- Authors:
- Autor USP: SANCHEZ, MANUEL CID - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1590/s1516-14392001000200018
- Assunto: CÉLULAS SOLARES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 2001
- Source:
- Título: Materials Research
- ISSN: 1516-1439
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 4, n. 2, p. 143-148, 2001
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
STEM, Nair e SÁNCHEZ, Manuel Cid. Studies of phosphorus gaussian profile emitter silicon solar cells. Materials Research, v. 4, n. 2, p. 143-148, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s1516-14392001000200018. Acesso em: 21 jan. 2026. -
APA
Stem, N., & Sánchez, M. C. (2001). Studies of phosphorus gaussian profile emitter silicon solar cells. Materials Research, 4( 2), 143-148. doi:10.1590/s1516-14392001000200018 -
NLM
Stem N, Sánchez MC. Studies of phosphorus gaussian profile emitter silicon solar cells [Internet]. Materials Research. 2001 ; 4( 2): 143-148.[citado 2026 jan. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s1516-14392001000200018 -
Vancouver
Stem N, Sánchez MC. Studies of phosphorus gaussian profile emitter silicon solar cells [Internet]. Materials Research. 2001 ; 4( 2): 143-148.[citado 2026 jan. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s1516-14392001000200018 - Physical limitations for homogeneous and highly doped n-type emitter monocrystalline silicon solar cells
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Informações sobre o DOI: 10.1590/s1516-14392001000200018 (Fonte: oaDOI API)
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