Physical limitations for homogeneous and highly doped n-type emitter monocrystalline silicon solar cells (2004)
- Authors:
- Autor USP: SANCHEZ, MANUEL CID - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/j.sse.2003.08.005
- Subjects: CIRCUITOS ELÉTRICOS; CÉLULAS SOLARES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Solid-State Electronics
- ISSN: 0038-1101
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 48, n. 2, p. 197-205, fev. 2004
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
STEM, Nair e SÁNCHEZ, Manuel Cid. Physical limitations for homogeneous and highly doped n-type emitter monocrystalline silicon solar cells. Solid-State Electronics, v. fe 2004, n. 2, p. 197-205, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2003.08.005. Acesso em: 20 jan. 2026. -
APA
Stem, N., & Sánchez, M. C. (2004). Physical limitations for homogeneous and highly doped n-type emitter monocrystalline silicon solar cells. Solid-State Electronics, fe 2004( 2), 197-205. doi:10.1016/j.sse.2003.08.005 -
NLM
Stem N, Sánchez MC. Physical limitations for homogeneous and highly doped n-type emitter monocrystalline silicon solar cells [Internet]. Solid-State Electronics. 2004 ; fe 2004( 2): 197-205.[citado 2026 jan. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2003.08.005 -
Vancouver
Stem N, Sánchez MC. Physical limitations for homogeneous and highly doped n-type emitter monocrystalline silicon solar cells [Internet]. Solid-State Electronics. 2004 ; fe 2004( 2): 197-205.[citado 2026 jan. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2003.08.005 - Phosphorus emitter and metal - grid optimization for homogeneous (n+p) and double-diffused (n++n+p) emitter silicon solar cells
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Informações sobre o DOI: 10.1016/j.sse.2003.08.005 (Fonte: oaDOI API)
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