Highly doped-type silicon theoretical optimization (1997)
- Authors:
- USP affiliated authors: SANCHEZ, MANUEL CID - EP ; STEM, NAIR - EP
- Unidade: EP
- Assunto: TECNOLOGIA DE MICRO-ONDAS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: IEEE
- Publisher place: Piscataway
- Date published: 1997
- Source:
- Título: Proceedings
- Conference titles: SBMO/IEEE MTT-S International Microwave and Optoelectronics Conference
-
ABNT
STEM, Nair e CID SÁNCHEZ, Manuel. Highly doped-type silicon theoretical optimization. 1997, Anais.. Piscataway: IEEE, 1997. . Acesso em: 20 jan. 2026. -
APA
Stem, N., & Cid Sánchez, M. (1997). Highly doped-type silicon theoretical optimization. In Proceedings. Piscataway: IEEE. -
NLM
Stem N, Cid Sánchez M. Highly doped-type silicon theoretical optimization. Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 20 ] -
Vancouver
Stem N, Cid Sánchez M. Highly doped-type silicon theoretical optimization. Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 20 ] - Análise teórica de emissores homogêneos (n+) e duplamente difundidos (n+n++) em células solares de silício: implementações ao processo de fabricação
- Células solares de silício de alto rendimento: otimizações teóricas e implementações experimentais utilizando processos de baixo custo
- Physical limitations for homogeneous and highly doped n-type emitter monocrystalline silicon solar cells
- Phosphorus emitter and metal - grid optimization for homogeneous (n+p) and double-diffused (n++n+p) emitter silicon solar cells
- Studies of phosphorus gaussian profile emitter silicon solar cells
- Contactless determination of minority-carrier lifetimes by photoconductance measurements
- Homogeneous gaussian profile P+ -Type emitters: updated parameters and metal-grid optimization
- Fabricacao e simulacao de perfis de emissores para celulas solares de silicio
- Desenvolvimentos de contatos enterrados para celulas solares
- Software para analise espectral de celulas solares
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