Internal strain distribution in freestanding porous silicon (2009)
- Authors:
- Autor USP: POUSSEP, IOURI - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1149/1.3225832
- Subjects: FILMES FINOS; SILICIO (PROPRIEDADES); ELETROQUÍMICA; NANOTECNOLOGIA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Pennington
- Date published: 2009
- Source:
- Título: Journal of the Eletrochemical Society
- ISSN: 0013-4651
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 156, n. 12, p. K215-K217, 2009
- Status:
- Artigo possui acesso gratuito no site do editor (Bronze Open Access)
- Versão do Documento:
- Versão publicada (Published version)
- Acessar versão aberta:
-
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Internal strain distribution in freestanding porous silicon. Journal of the Eletrochemical Society, v. 156, n. 12, p. K215-K217, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3225832. Acesso em: 09 maio 2026. -
APA
Pusep, Y. A., Rodrigues, A. D., Galzerani, J. C., Arce, R. D., Koropecki, R. R., & Comedi, D. (2009). Internal strain distribution in freestanding porous silicon. Journal of the Eletrochemical Society, 156( 12), K215-K217. doi:10.1149/1.3225832 -
NLM
Pusep YA, Rodrigues AD, Galzerani JC, Arce RD, Koropecki RR, Comedi D. Internal strain distribution in freestanding porous silicon [Internet]. Journal of the Eletrochemical Society. 2009 ; 156( 12): K215-K217.[citado 2026 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3225832 -
Vancouver
Pusep YA, Rodrigues AD, Galzerani JC, Arce RD, Koropecki RR, Comedi D. Internal strain distribution in freestanding porous silicon [Internet]. Journal of the Eletrochemical Society. 2009 ; 156( 12): K215-K217.[citado 2026 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3225832 - Raman probing of the wave function of collective excitations in the presence of disorder
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