Internal strain distribution in freestanding porous silicon (2009)
- Authors:
- Autor USP: POUSSEP, IOURI - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1149/1.3225832
- Subjects: FILMES FINOS; SILICIO (PROPRIEDADES); ELETROQUÍMICA; NANOTECNOLOGIA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Pennington
- Date published: 2009
- Source:
- Título: Journal of the Eletrochemical Society
- ISSN: 0013-4651
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 156, n. 12, p. K215-K217, 2009
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Internal strain distribution in freestanding porous silicon. Journal of the Eletrochemical Society, v. 156, n. 12, p. K215-K217, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3225832. Acesso em: 23 jan. 2026. -
APA
Pusep, Y. A., Rodrigues, A. D., Galzerani, J. C., Arce, R. D., Koropecki, R. R., & Comedi, D. (2009). Internal strain distribution in freestanding porous silicon. Journal of the Eletrochemical Society, 156( 12), K215-K217. doi:10.1149/1.3225832 -
NLM
Pusep YA, Rodrigues AD, Galzerani JC, Arce RD, Koropecki RR, Comedi D. Internal strain distribution in freestanding porous silicon [Internet]. Journal of the Eletrochemical Society. 2009 ; 156( 12): K215-K217.[citado 2026 jan. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3225832 -
Vancouver
Pusep YA, Rodrigues AD, Galzerani JC, Arce RD, Koropecki RR, Comedi D. Internal strain distribution in freestanding porous silicon [Internet]. Journal of the Eletrochemical Society. 2009 ; 156( 12): K215-K217.[citado 2026 jan. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3225832 - Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires
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Informações sobre o DOI: 10.1149/1.3225832 (Fonte: oaDOI API)
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