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Preparação e caracterização de filmes finos sol-gel de 'Nb IND.2"O IND.5:Zr (2009)

  • Authors:
  • Autor USP: SIMENCIO, EDER CICERO ADÃO - ENGMAT
  • Unidade: ENGMAT
  • Subjects: FÍSICO-QUÍMICA; FILMES FINOS
  • Language: Português
  • Abstract: Este trabalho apresenta resultados da preparação e caracterização de filmes finos de pentóxido de nióbio ('Nb IND.2"O IND.5') dopados com isopropóxido de zircônio (IV) Zr['O(C'H IND.2')IND.2'C'H IND.3]IND. 4', obtidos via processo sol-gel. A adição do precursor dopante teve como finalidade estudar a sua influência sobre as propriedades eletroquímicas destes filmes. Os sóis destinados à deposição destes filmes foram preparados a partir da mistura de pentacloreto de nióbio (Nb'CL IND.5' anidro), n-butanol e ácido acético e sua submissão à ação de irradiação ultrassônica. A obtenção das camadas delgadas de 'Nb IND.2"O IND.5':Zr, com diferentes espessuras (1 a 6 camadas), sobre um substrato de vidro recoberto com camada condutora eletrônica (ITO), fez-se pelo processo sol-gel juntamente com a técnica de imersão vertical ("dip-coating"). Os filmes foram submetidos a um tratamento térmico entre '450 GRAUS'C e '560 GRAUS'C, em atmosfera de ar, por 5 a 10 minutos. O estudo efetuado revelou que estes filmes finos de 'Nb IND.2"O IND.5':Zr, apresentaram influência de concentração de zircônio, número de camadas e tempo de tratamento térmico nas propriedades eletroquímicas. As medidas de voltametria cíclica demostraram que o processo de inserção/extração é reversível, enquanto medidas cronoamperométricas, demonstraram que o processo de intercalação atinge o seu valor máximo (35 mC/'cm POT.2) em 30s à -1,8V, para filmes dopados numa razão molar de 0,5% e com 5 camadas etratamento térmico de '450 GRAUS'C por 10 minutos. Estes filmes também apresentaram nas análises microscópicas por MEV uma morfologia muito uniforme, lisa e sem rachaduras. Além disso, foi comprovada por análises EDX a presença de zicôrnio nos filmes. Todos estes resultados mostraram que os filmes de 'Nb IND.2"O IND.5':Zr são promissores e excelentes candidatos à substituir filmes de W'O IND.3' em aplicações eletroquímicas
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 05.08.2009
  • Acesso à fonte
    How to cite
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    • ABNT

      SIMÊNCIO, Éder Cícero Adão. Preparação e caracterização de filmes finos sol-gel de 'Nb IND.2"O IND.5:Zr. 2009. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2009. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-01092009-113406/. Acesso em: 23 abr. 2024.
    • APA

      Simêncio, É. C. A. (2009). Preparação e caracterização de filmes finos sol-gel de 'Nb IND.2"O IND.5:Zr (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-01092009-113406/
    • NLM

      Simêncio ÉCA. Preparação e caracterização de filmes finos sol-gel de 'Nb IND.2"O IND.5:Zr [Internet]. 2009 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-01092009-113406/
    • Vancouver

      Simêncio ÉCA. Preparação e caracterização de filmes finos sol-gel de 'Nb IND.2"O IND.5:Zr [Internet]. 2009 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-01092009-113406/


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