A comparative study of ethylene oxide and diethylene dioxide adsorption on silicon (001) (2007)
- Authors:
- Autor USP: FERRAZ, ARMANDO CORBANI - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/j.susc.2006.11.081
- Assunto: SUPERFÍCIE FÍSICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Surface Science
- ISSN: 0039-6028
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 601, n. 13, p. 2576-2579, 2007
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
FERRAZ, Armando Corbani e MIOTTO, R. A comparative study of ethylene oxide and diethylene dioxide adsorption on silicon (001). Surface Science, v. 601, n. 13, p. 2576-2579, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.susc.2006.11.081. Acesso em: 28 fev. 2026. -
APA
Ferraz, A. C., & Miotto, R. (2007). A comparative study of ethylene oxide and diethylene dioxide adsorption on silicon (001). Surface Science, 601( 13), 2576-2579. doi:10.1016/j.susc.2006.11.081 -
NLM
Ferraz AC, Miotto R. A comparative study of ethylene oxide and diethylene dioxide adsorption on silicon (001) [Internet]. Surface Science. 2007 ; 601( 13): 2576-2579.[citado 2026 fev. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2006.11.081 -
Vancouver
Ferraz AC, Miotto R. A comparative study of ethylene oxide and diethylene dioxide adsorption on silicon (001) [Internet]. Surface Science. 2007 ; 601( 13): 2576-2579.[citado 2026 fev. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2006.11.081 - Estrutura eletrônica de superfícies e super-redes de semicondutores
- Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods
- Estrutura eletronica de super-redes
- Superficie de semicondutores
- Theoretical studies of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' superlattices
- Electronic band structure of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' and ' (GAAS) IND.N'' (ZNSE) IND.N' superlattices
- Adsorção e dissociação molecular do oxigênio na superfície do CdTe (110)
- Passivização da superfície InP(001) através da adsorção e dissociação da molécula de H2S
- Maleic anhydride adsorption on silicon (001)
- Geometry and stability of the ' ('ga''as') IND.N'' ('in''as') IND.N' and ' ('ga'P) IND.N'' ('in'P) IND.N' ultrathin superlattices
Informações sobre o DOI: 10.1016/j.susc.2006.11.081 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
