A comparative study of ethylene oxide and diethylene dioxide adsorption on silicon (001) (2007)
- Authors:
- Autor USP: FERRAZ, ARMANDO CORBANI - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/j.susc.2006.11.081
- Assunto: SUPERFÍCIE FÍSICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Elsevier Science
- Publisher place: Amsterdam
- Date published: 2007
- Source:
- Título do periódico: Surface Science
- ISSN: 0039-6028
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 601, n. 13, p. 2576-2579, 2007
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
FERRAZ, A. C.; MIOTTO, R. A comparative study of ethylene oxide and diethylene dioxide adsorption on silicon (001). Surface Science, Amsterdam, Elsevier Science, v. 601, n. 13, p. 2576-2579, 2007. Disponível em: < http://www.sciencedirect.com/science/journal/00396028 > DOI: 10.1016/j.susc.2006.11.081. -
APA
Ferraz, A. C., & Miotto, R. (2007). A comparative study of ethylene oxide and diethylene dioxide adsorption on silicon (001). Surface Science, 601( 13), 2576-2579. doi:10.1016/j.susc.2006.11.081 -
NLM
Ferraz AC, Miotto R. A comparative study of ethylene oxide and diethylene dioxide adsorption on silicon (001) [Internet]. Surface Science. 2007 ; 601( 13): 2576-2579.Available from: http://www.sciencedirect.com/science/journal/00396028 -
Vancouver
Ferraz AC, Miotto R. A comparative study of ethylene oxide and diethylene dioxide adsorption on silicon (001) [Internet]. Surface Science. 2007 ; 601( 13): 2576-2579.Available from: http://www.sciencedirect.com/science/journal/00396028 - Estabilidade em super-redes iii-v
- Propriedades eletronicas das super-redes semicondutoras
- Electronic structure of ' ('ga'P) IND.N' ' ('i ind.N'P) IND.N' and ' ('ga''as') IND.N'' ('i ind.N''as') IND. N' superlattices with n'< OU ='7
- Descontinuidade das faixas de valencia das interfaces 'AI''AS': 'SI' : 'GA''AS'e'AI''AS' : 'GE' : 'GA''AS'
- Adsorcao de 'TE' em superficies de 'GA''AS' e 'IN''AS'
- Estrutura eletrônica de superfícies e super-redes de semicondutores
- Electronic band structure of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' and ' (GAAS) IND.N'' (ZNSE) IND.N' superlattices
- Electronic band structure of ' ( 'ga''as' ) IND.N'' (A1AS) IND.N' superlattices
- Self-consistent variational celular schene applied to semiconductors of group iv and iii-v compounds
- Theoretical calculations for Si(001)-(2x1)Cl
Informações sobre o DOI: 10.1016/j.susc.2006.11.081 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
