Estudo de primeiros princípios do mecanismo de adsorção da molécula de 'O IND. 2' sobre a superfície de CdTe(110) (2006)
- Authors:
- Autor USP: FERRAZ, ARMANDO CORBANI - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Português
- Imprenta:
- Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
-
ABNT
KISS, Ferenc Diniz e FERRAZ, A. C. Estudo de primeiros princípios do mecanismo de adsorção da molécula de 'O IND. 2' sobre a superfície de CdTe(110). 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R1316-1.pdf. Acesso em: 04 ago. 2024. -
APA
Kiss, F. D., & Ferraz, A. C. (2006). Estudo de primeiros princípios do mecanismo de adsorção da molécula de 'O IND. 2' sobre a superfície de CdTe(110). In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R1316-1.pdf -
NLM
Kiss FD, Ferraz AC. Estudo de primeiros princípios do mecanismo de adsorção da molécula de 'O IND. 2' sobre a superfície de CdTe(110) [Internet]. 2006 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R1316-1.pdf -
Vancouver
Kiss FD, Ferraz AC. Estudo de primeiros princípios do mecanismo de adsorção da molécula de 'O IND. 2' sobre a superfície de CdTe(110) [Internet]. 2006 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R1316-1.pdf - Electronic band structure of ' ( 'ga''as' ) IND.N'' (A1AS) IND.N' superlattices
- Self-consistent variational celular schene applied to semiconductors of group iv and iii-v compounds
- Electronic band structure of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' and ' (GAAS) IND.N'' (ZNSE) IND.N' superlattices
- Electronic structure of ' ('ga'P) IND.N' ' ('i ind.N'P) IND.N' and ' ('ga''as') IND.N'' ('i ind.N''as') IND. N' superlattices with n'< OU ='7
- Propriedades eletronicas das super-redes semicondutoras
- Estabilidade em super-redes iii-v
- Adsorcao de 'TE' em superficies de 'GA''AS' e 'IN''AS'
- Descontinuidade das faixas de valencia das interfaces 'AI''AS': 'SI' : 'GA''AS'e'AI''AS' : 'GE' : 'GA''AS'
- Estrutura eletrônica das superfícies GaAs:Te e InAs:Te
- Estrutura eletrônica de superfícies e super-redes de semicondutores
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas