Propriedades ópticas de filmes finos de Silício amorfo hidrogenado dopados com Érbio (2005)
- Authors:
- Autor USP: OLIVEIRA, VICTOR INACIO DE - IFSC
- Unidade: IFSC
- Sigla do Departamento: FFI
- Subjects: FILMES FINOS; SILÍCIO
- Language: Português
- Abstract: Em função de suas potenciais aplicações tecnológicas (células solares, TFT- transistores de filme fino, etc.), o estudo de semicondutores amorfos tem despertado o interesse da comunidade científica desde o final da década de 70. Mais recentemente, este interesse foi renovado com a perspectiva de se produzirem dispositivos emissores de luz totalmente baseados no silício e em sua bem estabelecida tecnologia (micro-)eletrônica. Dentre as principais abordagens adotadas para a obtenção de materiais luminescentes à base de silício, destaca-se aquela envolvendo sua dopagem com íons terra-rara e/ou metais de transição, por exemplo. Tendo isto por base, este trabalho diz respeito ao preparo e posterior caracterização de filmes finos de silício amorfo hidrogenado (a-SiH) dopados com o íon 'Er POT.3+'. Todos os filmes considerados neste estudo foram preparados pela técnica de sputtering de rádio freqüência, em uma atmosfera controlada de argônio e hidrogênio. Com o objetivo de se investigar a influência exercida pela estrutura atômica e composição química nos processos ópticos destes filmes, todos foram submetidos a tratamentos térmicos cumulativos até 700 'GRAUS'C. Para isto, os filmes foram caracterizados pelas técnicas de espalhamento Raman, fotoluminescência, transmissão óptica, EDS (energy dispersive spectrometry) e RBS (Rutherford backscattering spetrometry), e ERD (elastic recoil detection). Os resultados experimentais indicam que os tratamentos térmicos até 'DAORDEM DE' 400 'GRAUS'C aumentam a intensidade de luminescência nestes filmes sem, contudo, alterar significativamente sua estrutura atômica e composição. Tratamentos térmicos a maiores temperaturas induzem uma diminuição no bandgap óptico dos filmes, e consequente decréscimo no sinal de fotoluminescência. Ensaios preliminares em filmes de a-Si:H dopados com Cr e co-dopados com Er+Yb também foram feitos.
- Imprenta:
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 2005
- Data da defesa: 20.09.2005
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ABNT
OLIVEIRA, Victor Inacio de. Propriedades ópticas de filmes finos de Silício amorfo hidrogenado dopados com Érbio. 2005. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2005. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-06052008-143921/. Acesso em: 07 fev. 2026. -
APA
Oliveira, V. I. de. (2005). Propriedades ópticas de filmes finos de Silício amorfo hidrogenado dopados com Érbio (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-06052008-143921/ -
NLM
Oliveira VI de. Propriedades ópticas de filmes finos de Silício amorfo hidrogenado dopados com Érbio [Internet]. 2005 ;[citado 2026 fev. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-06052008-143921/ -
Vancouver
Oliveira VI de. Propriedades ópticas de filmes finos de Silício amorfo hidrogenado dopados com Érbio [Internet]. 2005 ;[citado 2026 fev. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-06052008-143921/
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