Propriedades eletrônicas de semicondutores magnéticos diluídos de 'Ga IND.1-x''Mn IND.x'As (2003)
- Authors:
- USP affiliated authors: SCOLFARO, LUISA MARIA RIBEIRO - IF ; LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; SIPAHI, GUILHERME MATOS - IFSC
- Unidades: IF; IFSC
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Física
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 2003
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
-
ABNT
RODRIGUES, Sara C. P.; SCOLFARO, Luisa Maria Ribeiro; LEITE, J. R.; et al. Propriedades eletrônicas de semicondutores magnéticos diluídos de 'Ga IND.1-x''Mn IND.x'As. Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2003. -
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Sipahi, G. M., Lima, I. C. da C., & Boselli, M. A. (2003). Propriedades eletrônicas de semicondutores magnéticos diluídos de 'Ga IND.1-x''Mn IND.x'As. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. -
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM, Lima IC da C, Boselli MA. Propriedades eletrônicas de semicondutores magnéticos diluídos de 'Ga IND.1-x''Mn IND.x'As. Resumos. 2003 ; -
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM, Lima IC da C, Boselli MA. Propriedades eletrônicas de semicondutores magnéticos diluídos de 'Ga IND.1-x''Mn IND.x'As. Resumos. 2003 ; - Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells
- Spin-polarized charge densities in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor ternary and quaternary alloy heterostructures
- Charge and spin distributions in 'Ga IND.1-x''Mn IND.x'/ GaAs ferromagnetic multilayers
- Determining theoretical luminescence spectra using k.p method
- Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells
- Theoretical luminescence spectra determination in GaAsN/GaAs quantum wells
- Calculated luminescence spectra of GaAs/Ga'As IND.1-x''N IND.x' derived heterostructures
- Exchange-correlation effects on the valence band structure of cubic AlGaN/GaN and GaN/InGaN superlattices
- Valence-band structure of InGaAs/InGaMnAs magnetic multilayers
- Electronic and optical properties of AlGaN/GaN superlattices under electric fields
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