Influence of ion energy and arrival rate on x-ray crystallographic properties of thin Zr'O IND.X' films prepared on Si(111) substrate by ion-beam assisted deposition (2000)
- Authors:
- USP affiliated authors: MATSUOKA, MASAO - IF ; ISOTANI, SADAO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1063/1.1286108
- Assunto: FÍSICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Journal of Applied Physics
- ISSN: 0021-8979
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 88, n. 6, p. 3773-3775, 2000
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
MATSUOKA, Masao et al. Influence of ion energy and arrival rate on x-ray crystallographic properties of thin Zr'O IND.X' films prepared on Si(111) substrate by ion-beam assisted deposition. Journal of Applied Physics, v. 88, n. 6, p. 3773-3775, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1286108. Acesso em: 27 set. 2024. -
APA
Matsuoka, M., Isotani, S., Chubaci, J. F. D., Miyake, S., Setsuhara, Y., Ogata, K., & Kuratani, N. (2000). Influence of ion energy and arrival rate on x-ray crystallographic properties of thin Zr'O IND.X' films prepared on Si(111) substrate by ion-beam assisted deposition. Journal of Applied Physics, 88( 6), 3773-3775. doi:10.1063/1.1286108 -
NLM
Matsuoka M, Isotani S, Chubaci JFD, Miyake S, Setsuhara Y, Ogata K, Kuratani N. Influence of ion energy and arrival rate on x-ray crystallographic properties of thin Zr'O IND.X' films prepared on Si(111) substrate by ion-beam assisted deposition [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 88( 6): 3773-3775.[citado 2024 set. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1286108 -
Vancouver
Matsuoka M, Isotani S, Chubaci JFD, Miyake S, Setsuhara Y, Ogata K, Kuratani N. Influence of ion energy and arrival rate on x-ray crystallographic properties of thin Zr'O IND.X' films prepared on Si(111) substrate by ion-beam assisted deposition [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 88( 6): 3773-3775.[citado 2024 set. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1286108 - X-ray photoelectron spectroscopy analysis of zirconium nitride-like filmsprepared on Si(100) substrates by ion beam assisted deposition
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Informações sobre o DOI: 10.1063/1.1286108 (Fonte: oaDOI API)
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