Ensaio de trilhamento elétrico em cabo pronto: desenvolvimento de metodologia e ensaios de aplicação (1996)
- Authors:
- USP affiliated authors: ANDRADE, ADNEI MELGES DE - EP ; FONSECA, FERNANDO JOSEPETTI - EP ; DIRANI, ELY ANTONIO TADEU - EP ; CASTRO, ADRIAN FERREIRA - IEE
- Unidades: EP; IEE
- Assunto: CABOS ELÉTRICOS
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Centro de Excelência em Distribuição de Energia Elétrica
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1996
-
ABNT
PINHEIRO, W et al. Ensaio de trilhamento elétrico em cabo pronto: desenvolvimento de metodologia e ensaios de aplicação. . São Paulo: Centro de Excelência em Distribuição de Energia Elétrica. . Acesso em: 15 fev. 2026. , 1996 -
APA
Pinheiro, W., Oliveira, J. J. S., Oliveira, R. B. L., Caron, L. E., Nachvalger, E. E., Andrade, A. M. de, et al. (1996). Ensaio de trilhamento elétrico em cabo pronto: desenvolvimento de metodologia e ensaios de aplicação. São Paulo: Centro de Excelência em Distribuição de Energia Elétrica. -
NLM
Pinheiro W, Oliveira JJS, Oliveira RBL, Caron LE, Nachvalger EE, Andrade AM de, Fonseca FJ, Dirani EAT, Castro AF. Ensaio de trilhamento elétrico em cabo pronto: desenvolvimento de metodologia e ensaios de aplicação. 1996 ;[citado 2026 fev. 15 ] -
Vancouver
Pinheiro W, Oliveira JJS, Oliveira RBL, Caron LE, Nachvalger EE, Andrade AM de, Fonseca FJ, Dirani EAT, Castro AF. Ensaio de trilhamento elétrico em cabo pronto: desenvolvimento de metodologia e ensaios de aplicação. 1996 ;[citado 2026 fev. 15 ] - Cabo coberto: avaliação frente ao trilhamento elétrico II
- Cabo coberto: diagnóstico de problemas e estudo de soluções. (em CD-Rom)
- A contribution to the improvement of ASTM -D2303 polymer covered cable testing
- Study of polymeric material characteristics on covered conductors used in Brazil
- Low operating voltage of an ITO/MEH-PPV/AI light emmiting device
- Charge transport layers in OC1C10-PPV PLEDs
- Low-temperature PECVD deposition of highly conductive microcrystalline silicon thin films
- Efeito do recozimento sobre o conteudo de H em películas de a-Si:H dopadas por implantação iônica
- Programa SILICIO: agrupando e correlacionando dados sobre deposição e caracterização de filmes finos de silício hidrogenado
- Deposição de filmes finos de oxinitreto de silício por PECVD
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
