Estudo do mecanismo de crescimento de SiMc:H em função da espessura das películas e do tipo de substrato (1992)
- Authors:
- USP affiliated authors: DIRANI, ELY ANTONIO TADEU - EP ; ANDRADE, ADNEI MELGES DE - EP
- Unidade: EP
- Assunto: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: SBMICRO/EPUSP
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1992
- Source:
- Título: Anais
- Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica
-
ABNT
DIRANI, Ely Antonio Tadeu e ANDRADE, Adnei Melges de. Estudo do mecanismo de crescimento de SiMc:H em função da espessura das películas e do tipo de substrato. 1992, Anais.. São Paulo: SBMICRO/EPUSP, 1992. . Acesso em: 29 dez. 2025. -
APA
Dirani, E. A. T., & Andrade, A. M. de. (1992). Estudo do mecanismo de crescimento de SiMc:H em função da espessura das películas e do tipo de substrato. In Anais. São Paulo: SBMICRO/EPUSP. -
NLM
Dirani EAT, Andrade AM de. Estudo do mecanismo de crescimento de SiMc:H em função da espessura das películas e do tipo de substrato. Anais. 1992 ;[citado 2025 dez. 29 ] -
Vancouver
Dirani EAT, Andrade AM de. Estudo do mecanismo de crescimento de SiMc:H em função da espessura das películas e do tipo de substrato. Anais. 1992 ;[citado 2025 dez. 29 ] - Improved conductivity in n-type microcrystalline silicon
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