O defeito 'Yb POT.2+'/C'N POT.-' em halogenetos de potássio (1998)
- Authors:
- USP affiliated authors: LI, MAXIMO SIU - IFSC ; HERNANDES, ANTONIO CARLOS - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: CETEPE
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 1998
- Source:
- Título: Programa e Resumos
- Conference titles: Simpósio Interunidades de Ciência e Engenharia de Materiais
-
ABNT
CASTRO, Antonio Carlos de e SIU LI, Máximo e HERNANDES, Antônio Carlos. O defeito 'Yb POT.2+'/C'N POT.-' em halogenetos de potássio. 1998, Anais.. São Carlos: CETEPE, 1998. . Acesso em: 02 abr. 2026. -
APA
Castro, A. C. de, Siu Li, M., & Hernandes, A. C. (1998). O defeito 'Yb POT.2+'/C'N POT.-' em halogenetos de potássio. In Programa e Resumos. São Carlos: CETEPE. -
NLM
Castro AC de, Siu Li M, Hernandes AC. O defeito 'Yb POT.2+'/C'N POT.-' em halogenetos de potássio. Programa e Resumos. 1998 ;[citado 2026 abr. 02 ] -
Vancouver
Castro AC de, Siu Li M, Hernandes AC. O defeito 'Yb POT.2+'/C'N POT.-' em halogenetos de potássio. Programa e Resumos. 1998 ;[citado 2026 abr. 02 ] - Propriedades estruturais e fotoluminescentes de pós do sistema YAG-Si'O IND.2':Er obtidos pelo método de precursores poliméricos
- Synthesis and characterization of 'Er IND.2''O IND.3'-'Al IND.2''O IND.3'-'Y IND.2''O IND.3'-Si'O IND.2' compounds from the sol-gel process
- Estudo estrutural e óptico de filmes finos do sistema 'Y IND. 2''O IND. 3'-'AL IND. 2''O IND. 3'-'SI''O IND. 2'-'ER IND. 2''O IND. 3' via método Pechini e evaporação por feixe de elétrons
- Photoluminescence properties of YAG/YAP-Si'O IND. 2': Er powders by Pechini method
- Incorporation of Er:YAG nanoparticles in silica from a mixed Pechini/sol-gel method: synthesis and characterization
- Synthesis and characterization of Er doped Si'O IND.2'-'Al IND.2''O IND.3'-'Y IND.2''O IND.3' compounds for photonic applications
- Investigation of optical, electrical and structural properties of thallium doped KCl crystals and films
- Propriedades de relaxação dieletro-óptica devido a defeitos em sólidos
- Er doped ZnO-Si'O IND.2' compounds: structural and optical properties
- Enhanced photoconductivity in ´YB POT.2+´/C´N POT.-´ doped and KCl and Ki
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
