Mapping of Bragg-surface diffraction to characterize ion-implanted semiconductors (1997)
- Autores:
- Autor USP: MORELHAO, SERGIO LUIZ - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Editora: Sociedade Brasileira de Física
- Local: São Paulo
- Data de publicação: 1997
- Fonte:
- Título do periódico: Resumos
- Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
-
ABNT
HAYASHI, Marcelo Assaoka et al. Mapping of Bragg-surface diffraction to characterize ion-implanted semiconductors. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 19 set. 2024. -
APA
Hayashi, M. A., Avanci, L. H., Cardoso, L. P., Morelhão, S. L., Sasaki, J. M., Kretly, L. C., & Chang, S. -L. (1997). Mapping of Bragg-surface diffraction to characterize ion-implanted semiconductors. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. -
NLM
Hayashi MA, Avanci LH, Cardoso LP, Morelhão SL, Sasaki JM, Kretly LC, Chang S-L. Mapping of Bragg-surface diffraction to characterize ion-implanted semiconductors. Resumos. 1997 ;[citado 2024 set. 19 ] -
Vancouver
Hayashi MA, Avanci LH, Cardoso LP, Morelhão SL, Sasaki JM, Kretly LC, Chang S-L. Mapping of Bragg-surface diffraction to characterize ion-implanted semiconductors. Resumos. 1997 ;[citado 2024 set. 19 ] - High-resolution synchrotron radiation Renninger scan to examine hybrid reflections in InGaP/GaAs(001)
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