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Influência do auto-aquecimento na característica IxV de transístores MOS/SOI (1997)

  • Authors:
  • Autor USP: BRUNETTI, CLÁUDIA - EP
  • Unidade: EP
  • Sigla do Departamento: PEE
  • Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
  • Language: Português
  • Abstract: Este trabalho apresenta o estudo dos efeitos do auto-aquecimento na característica I-V de transistores SOI NMOS totalmente depletados. Para este fim, um dispositivo de comprimento de canal de 1 'mü'm foi medido e simulado utilizando os programas bidimensionais 'TSUPREM-4 POT.TM' (simulador de processos) e 'MEDICI POT.TM' (simulador de dispositivos). Foram realizados dois tipos de medidas: estáticas e dinâmicas. Das medidas estáticas, observou-se o efeito do auto-aquecimento através do surgimento da região de condutância diferencial de saída negativa na característica I-V, fenômeno justificado pela degradação da mobilidade com o aumento da temperatura. Para a simulação da característica estática utilizou-se, juntamente com as equações tradicionais de Poisson e Continuidade, o módulo de Aquecimento da Rede Cristalina, as Equações de Balanço de Energia para elétrons e modelos de Ionização por Impacto. Verifica-se dos resultados que a temperatura da rede cristalina, para polarizações de dreno e porta de 5V e 6V, respectivamente, pode atingir valores em torno de 425K enquanto que, para mesmas condições de polarização, a temperatura local dos elétrons pode atingir 2380K. Isto justifica a utilização das Equações de Balanço de Energia para elétrons nas simulações, que permitem o melhor modelamento de parâmetros tais como mobilidade e ionização por impacto, de acordo com a temperatura local dos portadores. A simulação da característica I-V sem o auto-aquecimentofoi feita desativando-se o módulo de Aquecimento da Rede Cristalina, ou seja, eliminando-se a degradação da mobilidade com a temperatura. Para fins de comparação, através de medidas dinâmicas, avaliamos a corrente 'I IND.DS' no dispositivo sem o efeito de auto-aquecimento, utilizando o método pulsado. A diferença entre valores de corrente com aquecimento (medidas estáticas) e sem aquecimento (medidas dinâmicas), para tensão de porta de 6V e tensão de dreno para máxima corrente no transistor, ficou em torno de 2,5mA, valor bastante próximo daquele obtido através das simulações
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 25.07.1997

  • How to cite
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    • ABNT

      BRUNETTI, Cláudia; ZASNICOFF, Luiz Sergio. Influência do auto-aquecimento na característica IxV de transístores MOS/SOI. 1997.Universidade de São Paulo, São Paulo, 1997.
    • APA

      Brunetti, C., & Zasnicoff, L. S. (1997). Influência do auto-aquecimento na característica IxV de transístores MOS/SOI. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Brunetti C, Zasnicoff LS. Influência do auto-aquecimento na característica IxV de transístores MOS/SOI. 1997 ;
    • Vancouver

      Brunetti C, Zasnicoff LS. Influência do auto-aquecimento na característica IxV de transístores MOS/SOI. 1997 ;

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