Influência do auto-aquecimento na característica IxV de transístores MOS/SOI (1997)
- Autores:
- Autor USP: BRUNETTI, CLÁUDIA - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEE
- Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
- Idioma: Português
- Resumo: Este trabalho apresenta o estudo dos efeitos do auto-aquecimento na característica I-V de transistores SOI NMOS totalmente depletados. Para este fim, um dispositivo de comprimento de canal de 1 'mü'm foi medido e simulado utilizando os programas bidimensionais 'TSUPREM-4 POT.TM' (simulador de processos) e 'MEDICI POT.TM' (simulador de dispositivos). Foram realizados dois tipos de medidas: estáticas e dinâmicas. Das medidas estáticas, observou-se o efeito do auto-aquecimento através do surgimento da região de condutância diferencial de saída negativa na característica I-V, fenômeno justificado pela degradação da mobilidade com o aumento da temperatura. Para a simulação da característica estática utilizou-se, juntamente com as equações tradicionais de Poisson e Continuidade, o módulo de Aquecimento da Rede Cristalina, as Equações de Balanço de Energia para elétrons e modelos de Ionização por Impacto. Verifica-se dos resultados que a temperatura da rede cristalina, para polarizações de dreno e porta de 5V e 6V, respectivamente, pode atingir valores em torno de 425K enquanto que, para mesmas condições de polarização, a temperatura local dos elétrons pode atingir 2380K. Isto justifica a utilização das Equações de Balanço de Energia para elétrons nas simulações, que permitem o melhor modelamento de parâmetros tais como mobilidade e ionização por impacto, de acordo com a temperatura local dos portadores. A simulação da característica I-V sem o auto-aquecimentofoi feita desativando-se o módulo de Aquecimento da Rede Cristalina, ou seja, eliminando-se a degradação da mobilidade com a temperatura. Para fins de comparação, através de medidas dinâmicas, avaliamos a corrente 'I IND.DS' no dispositivo sem o efeito de auto-aquecimento, utilizando o método pulsado. A diferença entre valores de corrente com aquecimento (medidas estáticas) e sem aquecimento (medidas dinâmicas), para tensão de porta de 6V e tensão de dreno para máxima corrente no transistor, ficou em torno de 2,5mA, valor bastante próximo daquele obtido através das simulações
- Imprenta:
- Data da defesa: 25.07.1997
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ABNT
BRUNETTI, Cláudia. Influência do auto-aquecimento na característica IxV de transístores MOS/SOI. 1997. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1997. . Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Brunetti, C. (1997). Influência do auto-aquecimento na característica IxV de transístores MOS/SOI (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Brunetti C. Influência do auto-aquecimento na característica IxV de transístores MOS/SOI. 1997 ;[citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
Brunetti C. Influência do auto-aquecimento na característica IxV de transístores MOS/SOI. 1997 ;[citado 2024 abr. 24 ]
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