Electrical behaviour of thin films porous silicon layers (1995)
- Authors:
- USP affiliated authors: FERNANDEZ, FRANCISCO JAVIER RAMÍREZ - EP ; SALCEDO, WALTER JAIMES - EP
- Unidade: EP
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Rio de Janeiro
- Date published: 1995
- Conference titles: Brazilian/German Workshop on Applied Surface Science
-
ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Electrical behaviour of thin films porous silicon layers. 1995, Anais.. Rio de Janeiro: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 1995. . Acesso em: 03 mar. 2026. -
APA
Salcedo, W. J., & Ramírez Fernandez, F. J. (1995). Electrical behaviour of thin films porous silicon layers. In . Rio de Janeiro: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. -
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Electrical behaviour of thin films porous silicon layers. 1995 ;[citado 2026 mar. 03 ] -
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Electrical behaviour of thin films porous silicon layers. 1995 ;[citado 2026 mar. 03 ] - Macroporous silicon structure functionalized by methylene blue to ph measurements application
- Caracterização do envelhecimento de filmes de silício poroso
- Formação de microporos no silício
- Caracterização estrutural do silício poroso
- Porous silicon film as a host material of Cr+3 ions for like ruby light emission material
- Nano-composite of porous silicon and organic dye molecules for optical gas sensor and lasing medium
- Polarization effects on the Raman and photoluminescence spectra of porous silicon layers
- Sensor de umidade implementado com diodo schottky sobre silicio poroso
- Contribuição ao modelamento de transporte de cargas elétricas em filmes de silício poroso
- Influencia da umidade e recozimento no comportamento do silicio poroso
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