Band hybridization effects in GaSb/InAs broken gap heterostructures (2017)
Leutewiler, Arthur Leão; Sandoval, Marcelo Toloza; Campos, Tiago de; Diago-Cisneros, Leovildo; Sipahi, Guilherme Matos 
Source: Abstract Booklet. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Subjects: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
LEUTEWILER, Arthur Leão et al. Band hybridization effects in GaSb/InAs broken gap heterostructures. 2017, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP, 2017. Disponível em: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf. Acesso em: 08 nov. 2025.APA
Leutewiler, A. L., Sandoval, M. T., Campos, T. de, Diago-Cisneros, L., & Sipahi, G. M. (2017). Band hybridization effects in GaSb/InAs broken gap heterostructures. In Abstract Booklet. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP. Recuperado de http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdfNLM
Leutewiler AL, Sandoval MT, Campos T de, Diago-Cisneros L, Sipahi GM. Band hybridization effects in GaSb/InAs broken gap heterostructures [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdfVancouver
Leutewiler AL, Sandoval MT, Campos T de, Diago-Cisneros L, Sipahi GM. Band hybridization effects in GaSb/InAs broken gap heterostructures [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
