Band hybridization effects in GaSb/InAs broken gap heterostructures (2017)
- Authors:
- Autor USP: SIPAHI, GUILHERME MATOS - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 2017
- Source:
- Título: Abstract Booklet
- Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP
-
ABNT
LEUTEWILER, Arthur Leão et al. Band hybridization effects in GaSb/InAs broken gap heterostructures. 2017, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP, 2017. Disponível em: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf. Acesso em: 09 jan. 2026. -
APA
Leutewiler, A. L., Sandoval, M. T., Campos, T. de, Diago-Cisneros, L., & Sipahi, G. M. (2017). Band hybridization effects in GaSb/InAs broken gap heterostructures. In Abstract Booklet. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP. Recuperado de http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf -
NLM
Leutewiler AL, Sandoval MT, Campos T de, Diago-Cisneros L, Sipahi GM. Band hybridization effects in GaSb/InAs broken gap heterostructures [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2026 jan. 09 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf -
Vancouver
Leutewiler AL, Sandoval MT, Campos T de, Diago-Cisneros L, Sipahi GM. Band hybridization effects in GaSb/InAs broken gap heterostructures [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2026 jan. 09 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf - Structural stability, exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements: an ab-initio study
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