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  • Trabalho de evento-anais periodico

    Spin-polarized charge densities in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor ternary and quaternary alloy heterostructures (2005)

    Sipahi, Guilherme Matos ; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Lima, I. C. da Cunha; Leite, J. R.

    Source: AIP Conference Proceedings. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS. Unidades: IFSC, IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, MAGNETISMO, POLARIZAÇÃO

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      SIPAHI, Guilherme Matos et al. Spin-polarized charge densities in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor ternary and quaternary alloy heterostructures. AIP Conference Proceedings. Melville: American Institute of Physics - AIP. Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1994119. Acesso em: 27 nov. 2025. , 2005

    • APA

      Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, I. C. da C., & Leite, J. R. (2005). Spin-polarized charge densities in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor ternary and quaternary alloy heterostructures. AIP Conference Proceedings. Melville: American Institute of Physics - AIP. doi:10.1063/1.1994119

    • NLM

      Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima IC da C, Leite JR. Spin-polarized charge densities in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor ternary and quaternary alloy heterostructures [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2005 ; 772( 1): 323-324.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1994119

    • Vancouver

      Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima IC da C, Leite JR. Spin-polarized charge densities in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor ternary and quaternary alloy heterostructures [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2005 ; 772( 1): 323-324.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1994119

  • Trabalho de evento

    Self-consistent determination of the spin-polarized charge distribution in diluted magnetic semiconductor heterostructures (2005)

    Sipahi, Guilherme Matos ; Marin, Ivan Silvetre Paganini; d'Eurydice, Marcel Nogueira; Rodrigues, Sara Cristina Pinto; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Boselli, Marco Aurelio; Lima, Ivan Costa da Cunha

    Source: Program. Conference titles: Latin American Congress of Surface Science and its Applications. Unidades: IFSC, IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      SIPAHI, Guilherme Matos et al. Self-consistent determination of the spin-polarized charge distribution in diluted magnetic semiconductor heterostructures. 2005, Anais.. Rio de Janeiro: PUC/RIO, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0039-1.pdf. Acesso em: 27 nov. 2025.

    • APA

      Sipahi, G. M., Marin, I. S. P., d'Eurydice, M. N., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Boselli, M. A., & Lima, I. C. da C. (2005). Self-consistent determination of the spin-polarized charge distribution in diluted magnetic semiconductor heterostructures. In Program. Rio de Janeiro: PUC/RIO. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0039-1.pdf

    • NLM

      Sipahi GM, Marin ISP, d'Eurydice MN, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Boselli MA, Lima IC da C. Self-consistent determination of the spin-polarized charge distribution in diluted magnetic semiconductor heterostructures [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0039-1.pdf

    • Vancouver

      Sipahi GM, Marin ISP, d'Eurydice MN, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Boselli MA, Lima IC da C. Self-consistent determination of the spin-polarized charge distribution in diluted magnetic semiconductor heterostructures [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0039-1.pdf

  • Artigo de periodico

    Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study (2005)

    Marques, M; Ferreira, L G; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro

    Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MÉTODO DE MONTE CARLO, MUDANÇA DE FASE, SUPERFÍCIE FÍSICA, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      MARQUES, M et al. Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study. Physical Review B, v. 71, n. 20, p. 205204/1-205204/11, 2005Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000071000020205204000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 27 nov. 2025.

    • APA

      Marques, M., Ferreira, L. G., Teles, L. K., & Scolfaro, L. M. R. (2005). Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study. Physical Review B, 71( 20), 205204/1-205204/11. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000071000020205204000001&idtype=cvips&prog=normal

    • NLM

      Marques M, Ferreira LG, Teles LK, Scolfaro LMR. Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 20): 205204/1-205204/11.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000071000020205204000001&idtype=cvips&prog=normal

    • Vancouver

      Marques M, Ferreira LG, Teles LK, Scolfaro LMR. Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 20): 205204/1-205204/11.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000071000020205204000001&idtype=cvips&prog=normal

  • Artigo de periodico

    Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN (2004)

    Alves, H W Leite; Alves, J L A; Santos, A M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.

    Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      ALVES, H W Leite et al. Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400021. Acesso em: 27 nov. 2025.

    • APA

      Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Santos, A. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400021

    • NLM

      Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400021

    • Vancouver

      Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400021

  • Artigo de periodico

    Adsorption of Si and C atoms over SiC (111) surfaces (2002)

    Vivas, P G; Silva, E E da; Carvalho, L C de; Alves, J L A; Alves, H W Leite; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.

    Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF

    Assunto: SUPERFÍCIE FÍSICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      VIVAS, P G et al. Adsorption of Si and C atoms over SiC (111) surfaces. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 396-398, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200042. Acesso em: 27 nov. 2025.

    • APA

      Vivas, P. G., Silva, E. E. da, Carvalho, L. C. de, Alves, J. L. A., Alves, H. W. L., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Adsorption of Si and C atoms over SiC (111) surfaces. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 396-398. doi:10.1590/s0103-97332002000200042

    • NLM

      Vivas PG, Silva EE da, Carvalho LC de, Alves JLA, Alves HWL, Scolfaro LMR, Leite JR. Adsorption of Si and C atoms over SiC (111) surfaces [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 396-398.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200042

    • Vancouver

      Vivas PG, Silva EE da, Carvalho LC de, Alves JLA, Alves HWL, Scolfaro LMR, Leite JR. Adsorption of Si and C atoms over SiC (111) surfaces [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 396-398.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200042

  • Artigo de periodico

    Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells (2001)

    Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.

    Source: Physica B. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATERIAIS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), SUPERFÍCIE FÍSICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      RODRIGUES, S C P et al. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, v. 302, p. 106-113, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6. Acesso em: 27 nov. 2025.

    • APA

      Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, 302, 106-113. doi:10.1016/s0921-4526(01)00413-6

    • NLM

      Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ; 302 106-113.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6

    • Vancouver

      Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ; 302 106-113.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6

  • Artigo de periodico

    Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds (2001)

    Ramos, L. E.; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Castineira, J L P; Rosa, A L; Leite, J. R.

    Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      RAMOS, L. E. et al. Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds. Physical Review B, v. 63, n. 16, p. 5210/1-5210/10, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165210. Acesso em: 27 nov. 2025.

    • APA

      Ramos, L. E., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Castineira, J. L. P., Rosa, A. L., & Leite, J. R. (2001). Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds. Physical Review B, 63( 16), 5210/1-5210/10. doi:10.1103/physrevb.63.165210

    • NLM

      Ramos LE, Teles LK, Scolfaro LMR, Castineira JLP, Rosa AL, Leite JR. Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 16): 5210/1-5210/10.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165210

    • Vancouver

      Ramos LE, Teles LK, Scolfaro LMR, Castineira JLP, Rosa AL, Leite JR. Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 16): 5210/1-5210/10.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165210
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