Souza, Ricardo de; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador) 
Assuntos: CAPACITORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, FILMES FINOS
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ABNT
SOUZA, Ricardo de. Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico. 2006. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23042007-141950/. Acesso em: 16 nov. 2025.APA
Souza, R. de. (2006). Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23042007-141950/NLM
Souza R de. Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico [Internet]. 2006 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23042007-141950/Vancouver
Souza R de. Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico [Internet]. 2006 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23042007-141950/
