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Trabalho de evento
Limitações da estruturaCMOS cavidade dupla (1989)
Martino, João Antonio ; Swart, Jacobus Willibrordus
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINO, João Antonio e SWART, Jacobus Willibrordus. Limitações da estruturaCMOS cavidade dupla. 1989, Anais.. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs, 1989. . Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Martino, J. A., & Swart, J. W. (1989). Limitações da estruturaCMOS cavidade dupla. In Anais. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs.
NLM
Martino JA, Swart JW. Limitações da estruturaCMOS cavidade dupla. Anais. 1989 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Vancouver
Martino JA, Swart JW. Limitações da estruturaCMOS cavidade dupla. Anais. 1989 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Trabalho de evento
Processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2um: resultados finais (1989)
Martino, João Antonio ; Swart, Jacobus Willibrordus
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINO, João Antonio e SWART, Jacobus Willibrordus. Processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2um: resultados finais. 1989, Anais.. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs, 1989. . Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Martino, J. A., & Swart, J. W. (1989). Processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2um: resultados finais. In Anais. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs.
NLM
Martino JA, Swart JW. Processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2um: resultados finais. Anais. 1989 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Vancouver
Martino JA, Swart JW. Processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2um: resultados finais. Anais. 1989 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Trabalho de evento
Processo CMOS para dimensões de porta de 2'MI'm: projeto e resultados experimentais (1988)
Martino, João Antonio ; Swart, Jacobus Willibrordus
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
MARTINO, João Antonio e SWART, Jacobus Willibrordus. Processo CMOS para dimensões de porta de 2'MI'm: projeto e resultados experimentais. 1988, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Martino, J. A., & Swart, J. W. (1988). Processo CMOS para dimensões de porta de 2'MI'm: projeto e resultados experimentais. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Martino JA, Swart JW. Processo CMOS para dimensões de porta de 2'MI'm: projeto e resultados experimentais. Anais. 1988 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Vancouver
Martino JA, Swart JW. Processo CMOS para dimensões de porta de 2'MI'm: projeto e resultados experimentais. Anais. 1988 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Tese (Doutorado)
Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2µm (1988)
Martino, João Antonio ; Swart, Jacobus Willibrordus (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
MARTINO, João Antonio. Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2µm. 1988. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1988. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-110719/. Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Martino, J. A. (1988). Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2µm (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-110719/
NLM
Martino JA. Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2µm [Internet]. 1988 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-110719/
Vancouver
Martino JA. Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2µm [Internet]. 1988 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-110719/
Dissertação (Mestrado)
Construção e obtenção das principais características elétricas de capacitores MOS com porta de policeto de titânio (1987)
Pires, Renato Guedes; Swart, Jacobus Willibrordus (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: CAPACITORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PIRES, Renato Guedes. Construção e obtenção das principais características elétricas de capacitores MOS com porta de policeto de titânio. 1987. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1987. . Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Pires, R. G. (1987). Construção e obtenção das principais características elétricas de capacitores MOS com porta de policeto de titânio (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Pires RG. Construção e obtenção das principais características elétricas de capacitores MOS com porta de policeto de titânio. 1987 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Vancouver
Pires RG. Construção e obtenção das principais características elétricas de capacitores MOS com porta de policeto de titânio. 1987 ;[citado 2025 nov. 16 ]

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