Scaff, Robson; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador) 
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, ELETROQUÍMICA, MICROELETRÔNICA
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ABNT
SCAFF, Robson. Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/Si'O IND.2'/'Si IND.3''N IND.4' para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au. 2008. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102008-142910/. Acesso em: 16 nov. 2025.APA
Scaff, R. (2008). Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/Si'O IND.2'/'Si IND.3''N IND.4' para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102008-142910/NLM
Scaff R. Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/Si'O IND.2'/'Si IND.3''N IND.4' para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au [Internet]. 2008 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102008-142910/Vancouver
Scaff R. Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/Si'O IND.2'/'Si IND.3''N IND.4' para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au [Internet]. 2008 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102008-142910/
