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Trabalho de evento
Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs (2024)
Souza, Adelcio Marques de; Celino, Daniel Ricardo; Ragi, Regiane; Romero, Murilo Araujo
Nome do evento: IEEE Latin American Symposium on Circuits and Systems - LASCAS. Unidade: EESC
Assuntos: TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS, NANOTECNOLOGIA, ENGENHARIA MECÂNICA
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ABNT
SOUZA, Adelcio Marques de et al. Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs. 2024, Anais.. Piscataway, NJ, USA: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2024. Disponível em: http://dx.doi.org/10.1109/LASCAS60203.2024.10506187. Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Souza, A. M. de, Celino, D. R., Ragi, R., & Romero, M. A. (2024). Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs. In . Piscataway, NJ, USA: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo. doi:10.1109/LASCAS60203.2024.10506187
NLM
Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs [Internet]. 2024 ;[citado 2025 nov. 15 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/LASCAS60203.2024.10506187
Vancouver
Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs [Internet]. 2024 ;[citado 2025 nov. 15 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/LASCAS60203.2024.10506187
Dissertação (Mestrado)
Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla (2018)
Torres, Henrique Lanza Faria; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: RADIAÇÃO IONIZANTE, TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
TORRES, Henrique Lanza Faria. Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082018-151322/. Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Torres, H. L. F. (2018). Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082018-151322/
NLM
Torres HLF. Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla [Internet]. 2018 ;[citado 2025 nov. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082018-151322/
Vancouver
Torres HLF. Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla [Internet]. 2018 ;[citado 2025 nov. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082018-151322/
Dissertação (Mestrado)
Estudo do efeito do transistor bipolar parasitário no comportamento elétrico de dispositivos FDSOI MOSFET´s submicrométricos (2001)
Marques, Marlos Sampaio; Braga, Nelson Liebentritt de Almeida (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
MARQUES, Marlos Sampaio. Estudo do efeito do transistor bipolar parasitário no comportamento elétrico de dispositivos FDSOI MOSFET´s submicrométricos. 2001. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2001. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14112024-155225/pt-br.php. Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Marques, M. S. (2001). Estudo do efeito do transistor bipolar parasitário no comportamento elétrico de dispositivos FDSOI MOSFET´s submicrométricos (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14112024-155225/pt-br.php
NLM
Marques MS. Estudo do efeito do transistor bipolar parasitário no comportamento elétrico de dispositivos FDSOI MOSFET´s submicrométricos [Internet]. 2001 ;[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14112024-155225/pt-br.php
Vancouver
Marques MS. Estudo do efeito do transistor bipolar parasitário no comportamento elétrico de dispositivos FDSOI MOSFET´s submicrométricos [Internet]. 2001 ;[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14112024-155225/pt-br.php
Trabalho de evento
Caracterizacao e modelamento de transistores para analise estatistica de circuitos integrados (1986)
Ramírez Fernandez, Francisco Javier ; Bodinaud, Jean Albert
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: EP, IEE
Assuntos: TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier e BODINAUD, Jean Albert. Caracterizacao e modelamento de transistores para analise estatistica de circuitos integrados. 1986, Anais.. Campinas: Sbmicro/Telebras, 1986. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Ramírez Fernandez, F. J., & Bodinaud, J. A. (1986). Caracterizacao e modelamento de transistores para analise estatistica de circuitos integrados. In Anais. Campinas: Sbmicro/Telebras.
NLM
Ramírez Fernandez FJ, Bodinaud JA. Caracterizacao e modelamento de transistores para analise estatistica de circuitos integrados. Anais. 1986 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Ramírez Fernandez FJ, Bodinaud JA. Caracterizacao e modelamento de transistores para analise estatistica de circuitos integrados. Anais. 1986 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Tese (Doutorado)
Estruturação de um método de fabricação de transistores bipolares auto-alinhados para circuitos integrados de alta velocidade (1985)
Fonseca, Reusi Ines; Andrade, Carlos Américo Morato de (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FONSECA, Reusi Ines. Estruturação de um método de fabricação de transistores bipolares auto-alinhados para circuitos integrados de alta velocidade. 1985. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1985. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Fonseca, R. I. (1985). Estruturação de um método de fabricação de transistores bipolares auto-alinhados para circuitos integrados de alta velocidade (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Fonseca RI. Estruturação de um método de fabricação de transistores bipolares auto-alinhados para circuitos integrados de alta velocidade. 1985 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Fonseca RI. Estruturação de um método de fabricação de transistores bipolares auto-alinhados para circuitos integrados de alta velocidade. 1985 ;[citado 2025 nov. 15 ]

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