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  • Tese (Doutorado)

    Ambiente de síntese de circuitos CMOS de alto desempenho (1999)

    Romão, Fábio Luís; Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: ENGENHARIA ELÉTRICA, MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS

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    • ABNT

      ROMÃO, Fábio Luís. Ambiente de síntese de circuitos CMOS de alto desempenho. 1999. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1999. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02122024-145524/pt-br.php. Acesso em: 15 nov. 2025.

    • APA

      Romão, F. L. (1999). Ambiente de síntese de circuitos CMOS de alto desempenho (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02122024-145524/pt-br.php

    • NLM

      Romão FL. Ambiente de síntese de circuitos CMOS de alto desempenho [Internet]. 1999 ;[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02122024-145524/pt-br.php

    • Vancouver

      Romão FL. Ambiente de síntese de circuitos CMOS de alto desempenho [Internet]. 1999 ;[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02122024-145524/pt-br.php

  • Tese (Livre Docência)

    Engenharia de superfícies e de interfaces aplicada na fabricação de circuitos integrados: cinética da oxidação térmica rápida do silício e deposição eletroquímica de metais (1999)

    Santos Filho, Sebastião Gomes dos

    Unidade: EP

    Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SILÍCIO

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    • ABNT

      SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Engenharia de superfícies e de interfaces aplicada na fabricação de circuitos integrados: cinética da oxidação térmica rápida do silício e deposição eletroquímica de metais. 1999. Tese (Livre Docência) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1999. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/3/tde-08102025-110131/pt-br.php. Acesso em: 15 nov. 2025.

    • APA

      Santos Filho, S. G. dos. (1999). Engenharia de superfícies e de interfaces aplicada na fabricação de circuitos integrados: cinética da oxidação térmica rápida do silício e deposição eletroquímica de metais (Tese (Livre Docência). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/3/tde-08102025-110131/pt-br.php

    • NLM

      Santos Filho SG dos. Engenharia de superfícies e de interfaces aplicada na fabricação de circuitos integrados: cinética da oxidação térmica rápida do silício e deposição eletroquímica de metais [Internet]. 1999 ;[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/3/tde-08102025-110131/pt-br.php

    • Vancouver

      Santos Filho SG dos. Engenharia de superfícies e de interfaces aplicada na fabricação de circuitos integrados: cinética da oxidação térmica rápida do silício e deposição eletroquímica de metais [Internet]. 1999 ;[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/3/tde-08102025-110131/pt-br.php

  • Tese (Doutorado)

    Projeto e caracterização de um modulador 'Sigma Delta' de alta taxa de amostragem empregando tecnologia HEMT (1998)

    Olmos, Alfredo; Charry Rodriguez, Edgar (Orientador)

    Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS

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    • ABNT

      OLMOS, Alfredo. Projeto e caracterização de um modulador 'Sigma Delta' de alta taxa de amostragem empregando tecnologia HEMT. 1998. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1998. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27112024-120427/pt-br.php. Acesso em: 15 nov. 2025.

    • APA

      Olmos, A. (1998). Projeto e caracterização de um modulador 'Sigma Delta' de alta taxa de amostragem empregando tecnologia HEMT (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27112024-120427/pt-br.php

    • NLM

      Olmos A. Projeto e caracterização de um modulador 'Sigma Delta' de alta taxa de amostragem empregando tecnologia HEMT [Internet]. 1998 ;[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27112024-120427/pt-br.php

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      Olmos A. Projeto e caracterização de um modulador 'Sigma Delta' de alta taxa de amostragem empregando tecnologia HEMT [Internet]. 1998 ;[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27112024-120427/pt-br.php

  • Tese (Doutorado)

    Desenvolvimento de uma estrutura de duplo nível de metal para a confecção de interconexões em circuitos integrados (1996)

    Pereira, José Augusto de Alencar Mendes; Torres, Luiz Carlos Molina (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SILÍCIO, ALUMÍNIO

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    • ABNT

      PEREIRA, José Augusto de Alencar Mendes. Desenvolvimento de uma estrutura de duplo nível de metal para a confecção de interconexões em circuitos integrados. 1996. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1996. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18112024-152608/pt-br.php. Acesso em: 15 nov. 2025.

    • APA

      Pereira, J. A. de A. M. (1996). Desenvolvimento de uma estrutura de duplo nível de metal para a confecção de interconexões em circuitos integrados (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18112024-152608/pt-br.php

    • NLM

      Pereira JA de AM. Desenvolvimento de uma estrutura de duplo nível de metal para a confecção de interconexões em circuitos integrados [Internet]. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18112024-152608/pt-br.php

    • Vancouver

      Pereira JA de AM. Desenvolvimento de uma estrutura de duplo nível de metal para a confecção de interconexões em circuitos integrados [Internet]. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18112024-152608/pt-br.php
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