Trapped excitons in semiconductors: the hyperspherical approach (1989)
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assuntos: FÍSICA, SEMICONDUTORES
ABNT
HORNOS, José Eduardo Martinho e DE GROOTE, J G. Trapped excitons in semiconductors: the hyperspherical approach. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/709dead4-0672-4379-8fa5-5c2a9d8a040b/PROD001081_786070.pdf. Acesso em: 12 dez. 2025.APA
Hornos, J. E. M., & De Groote, J. G. (1989). Trapped excitons in semiconductors: the hyperspherical approach. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/709dead4-0672-4379-8fa5-5c2a9d8a040b/PROD001081_786070.pdfNLM
Hornos JEM, De Groote JG. Trapped excitons in semiconductors: the hyperspherical approach [Internet]. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 dez. 12 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/709dead4-0672-4379-8fa5-5c2a9d8a040b/PROD001081_786070.pdfVancouver
Hornos JEM, De Groote JG. Trapped excitons in semiconductors: the hyperspherical approach [Internet]. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 dez. 12 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/709dead4-0672-4379-8fa5-5c2a9d8a040b/PROD001081_786070.pdf