Trapped excitons in semiconductors: the hyperspherical approach (1989)
- Authors:
- Autor USP: HORNOS, JOSE EDUARDO MARTINHO - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: FÍSICA; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Fisica
- Publisher place: Sao Paulo
- Date published: 1989
- Source:
- Título: Programa e Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
HORNOS, José Eduardo Martinho e DE GROOTE, J G. Trapped excitons in semiconductors: the hyperspherical approach. 1989, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 10 out. 2024. -
APA
Hornos, J. E. M., & De Groote, J. G. (1989). Trapped excitons in semiconductors: the hyperspherical approach. In Programa e Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. -
NLM
Hornos JEM, De Groote JG. Trapped excitons in semiconductors: the hyperspherical approach. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 out. 10 ] -
Vancouver
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