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Artigo de periodico
Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure (2007)
Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: FERROMAGNETISMO, SEMICONDUTORES
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ABNT
ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure. Physical Review B, v. 75, n. 4, p. 075316/1-075316/4, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.075316. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Arantes Junior, J. T., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2007). Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure. Physical Review B, 75( 4), 075316/1-075316/4. doi:10.1103/physrevb.75.075316
NLM
Arantes Junior JT, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 4): 075316/1-075316/4.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.075316
Vancouver
Arantes Junior JT, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 4): 075316/1-075316/4.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.075316
Artigo de periodico
Hf defects in c-Si and their importance for the 'HfO IND.2/Si interface: density-functional calculations (2007)
Scopel, Wanderlã Luis; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
SCOPEL, Wanderlã Luis e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Hf defects in c-Si and their importance for the 'HfO IND.2/Si interface: density-functional calculations. Physical Review B, v. 75, n. 19, p. 193203/1-193203/4, 2007Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000019193203000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Scopel, W. L., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2007). Hf defects in c-Si and their importance for the 'HfO IND.2/Si interface: density-functional calculations. Physical Review B, 75( 19), 193203/1-193203/4. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000019193203000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Scopel WL, Silva AJR da, Fazzio A. Hf defects in c-Si and their importance for the 'HfO IND.2/Si interface: density-functional calculations [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 19): 193203/1-193203/4.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000019193203000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Scopel WL, Silva AJR da, Fazzio A. Hf defects in c-Si and their importance for the 'HfO IND.2/Si interface: density-functional calculations [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 19): 193203/1-193203/4.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000019193203000001&idtype=cvips&prog=normal
Dissertação (Mestrado)
Efeitos de spin em poços quânticos largos (2007)
Maia, Álvaro Diego Bernardino; Gusev, Guennadii Michailovich (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: POÇOS QUÂNTICOS, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, PROPRIEDADES DOS SÓLIDOS
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ABNT
MAIA, Álvaro Diego Bernardino. Efeitos de spin em poços quânticos largos. 2007. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25082009-080807/. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Maia, Á. D. B. (2007). Efeitos de spin em poços quânticos largos (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25082009-080807/
NLM
Maia ÁDB. Efeitos de spin em poços quânticos largos [Internet]. 2007 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25082009-080807/
Vancouver
Maia ÁDB. Efeitos de spin em poços quânticos largos [Internet]. 2007 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25082009-080807/
Artigo de periodico
Energetics of silicon nanowires: a molecular dynamics investigation (2007)
Menezes, R D; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Fonte: Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. Unidades: EP, IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MENEZES, R D e JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. Energetics of silicon nanowires: a molecular dynamics investigation. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science, v. 204, n. 4, p. 951-955, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssa.200675204. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Menezes, R. D., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2007). Energetics of silicon nanowires: a molecular dynamics investigation. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science, 204( 4), 951-955. doi:10.1002/pssa.200675204
NLM
Menezes RD, Justo Filho JF, Assali LVC. Energetics of silicon nanowires: a molecular dynamics investigation [Internet]. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. 2007 ; 204( 4): 951-955.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssa.200675204
Vancouver
Menezes RD, Justo Filho JF, Assali LVC. Energetics of silicon nanowires: a molecular dynamics investigation [Internet]. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. 2007 ; 204( 4): 951-955.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssa.200675204
Trabalho de evento-anais periodico
Ab initio study of GaN/'Mn IND.x' 'Ga IND.i-x' N digital heterostructure (2007)
Marques, M; Ferreira, Luiz Guimarães; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Furthmüller, J; Bechstedt, F
Fonte: AIP Conference Proceedings. Nome do evento: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MAGNETISMO
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ABNT
MARQUES, M et al. Ab initio study of GaN/'Mn IND.x' 'Ga IND.i-x' N digital heterostructure. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001249000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 15 nov. 2024. , 2007
APA
Marques, M., Ferreira, L. G., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Furthmüller, J., & Bechstedt, F. (2007). Ab initio study of GaN/'Mn IND.x' 'Ga IND.i-x' N digital heterostructure. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001249000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Marques M, Ferreira LG, Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F. Ab initio study of GaN/'Mn IND.x' 'Ga IND.i-x' N digital heterostructure [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 1249-1250.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001249000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Marques M, Ferreira LG, Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F. Ab initio study of GaN/'Mn IND.x' 'Ga IND.i-x' N digital heterostructure [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 1249-1250.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001249000001&idtype=cvips&prog=normal
Relatorio tecnico
Superlattice magnetophonon resonances in strongly coupled InAs/GaSb superlattices (2007)
Deacon, R S; Nicholas, R J; Shields, P A; Henriques, André Bohomoletz
Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
DEACON, R S et al. Superlattice magnetophonon resonances in strongly coupled InAs/GaSb superlattices. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://br.arxiv.org/PS_cache/cond-mat/pdf/0701/0701214v2.pdf. Acesso em: 15 nov. 2024. , 2007
APA
Deacon, R. S., Nicholas, R. J., Shields, P. A., & Henriques, A. B. (2007). Superlattice magnetophonon resonances in strongly coupled InAs/GaSb superlattices. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://br.arxiv.org/PS_cache/cond-mat/pdf/0701/0701214v2.pdf
NLM
Deacon RS, Nicholas RJ, Shields PA, Henriques AB. Superlattice magnetophonon resonances in strongly coupled InAs/GaSb superlattices [Internet]. 2007 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://br.arxiv.org/PS_cache/cond-mat/pdf/0701/0701214v2.pdf
Vancouver
Deacon RS, Nicholas RJ, Shields PA, Henriques AB. Superlattice magnetophonon resonances in strongly coupled InAs/GaSb superlattices [Internet]. 2007 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://br.arxiv.org/PS_cache/cond-mat/pdf/0701/0701214v2.pdf
Trabalho de evento-resumo
Comportamento da energia de ligação excitônica em poços quânticos duplos de AlGaAs/GaAs em função da largura do "spike (2007)
Cesar, D F; Duarte, J L; Dias, I F L; Laureto, E; Lopes, E M; Frachello, F; Lamas, T. E.
Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
CESAR, D F et al. Comportamento da energia de ligação excitônica em poços quânticos duplos de AlGaAs/GaAs em função da largura do "spike. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0810-1.pdf. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Cesar, D. F., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., Laureto, E., Lopes, E. M., Frachello, F., & Lamas, T. E. (2007). Comportamento da energia de ligação excitônica em poços quânticos duplos de AlGaAs/GaAs em função da largura do "spike. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0810-1.pdf
NLM
Cesar DF, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Lopes EM, Frachello F, Lamas TE. Comportamento da energia de ligação excitônica em poços quânticos duplos de AlGaAs/GaAs em função da largura do "spike [Internet]. 2007 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0810-1.pdf
Vancouver
Cesar DF, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Lopes EM, Frachello F, Lamas TE. Comportamento da energia de ligação excitônica em poços quânticos duplos de AlGaAs/GaAs em função da largura do "spike [Internet]. 2007 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0810-1.pdf
Artigo de periodico
Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors (2007)
Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C.
Fonte: Diamond and Related Materials. Unidades: EP, IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ÓPTICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e ASSALI, L. V. C. Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors. Diamond and Related Materials, v. 16, n. 4-7, p. 1429-1432, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.10.005. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2007). Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors. Diamond and Related Materials, 16( 4-7), 1429-1432. doi:10.1016/j.diamond.2006.10.005
NLM
Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 1429-1432.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.10.005
Vancouver
Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 1429-1432.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.10.005
Artigo de periodico
Cobalt in diamond: an ab initio investigation (2007)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Larico, R; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Diamond and Related Materials. Unidades: IF, EP
Assuntos: SEMICONDUTORES, ÓPTICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. et al. Cobalt in diamond: an ab initio investigation. Diamond and Related Materials, v. 16, n. 4-7, p. 819-822, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.09.014. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., Larico, R., & Justo Filho, J. F. (2007). Cobalt in diamond: an ab initio investigation. Diamond and Related Materials, 16( 4-7), 819-822. doi:10.1016/j.diamond.2006.09.014
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Larico R, Justo Filho JF. Cobalt in diamond: an ab initio investigation [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 819-822.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.09.014
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Larico R, Justo Filho JF. Cobalt in diamond: an ab initio investigation [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 819-822.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.09.014
Artigo de periodico
Dynamic susceptibility measurements at the spin-glass transition in the `Zn IND.1-x´ `Mn IND.x´ `In IND.2´ `Se IND.4´ semiconductor (2007)
Mantilla, J; Haar, Ewout Ter; Coaquira, J A H; Bindilatti, V.
Fonte: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MANTILLA, J et al. Dynamic susceptibility measurements at the spin-glass transition in the `Zn IND.1-x´ `Mn IND.x´ `In IND.2´ `Se IND.4´ semiconductor. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 19, n. 38, p. 386225/1-386225/8, 2007Tradução . . Disponível em: http://www.iop.org/EJ/article/0953-8984/19/38/386225/cm7_38_386225.pdf?request-id=kvOzPTuD3BGnu00N3Ai7Kg. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Mantilla, J., Haar, E. T., Coaquira, J. A. H., & Bindilatti, V. (2007). Dynamic susceptibility measurements at the spin-glass transition in the `Zn IND.1-x´ `Mn IND.x´ `In IND.2´ `Se IND.4´ semiconductor. Journal of Physics-Condensed Matter, 19( 38), 386225/1-386225/8. Recuperado de http://www.iop.org/EJ/article/0953-8984/19/38/386225/cm7_38_386225.pdf?request-id=kvOzPTuD3BGnu00N3Ai7Kg
NLM
Mantilla J, Haar ET, Coaquira JAH, Bindilatti V. Dynamic susceptibility measurements at the spin-glass transition in the `Zn IND.1-x´ `Mn IND.x´ `In IND.2´ `Se IND.4´ semiconductor [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2007 ; 19( 38): 386225/1-386225/8.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.iop.org/EJ/article/0953-8984/19/38/386225/cm7_38_386225.pdf?request-id=kvOzPTuD3BGnu00N3Ai7Kg
Vancouver
Mantilla J, Haar ET, Coaquira JAH, Bindilatti V. Dynamic susceptibility measurements at the spin-glass transition in the `Zn IND.1-x´ `Mn IND.x´ `In IND.2´ `Se IND.4´ semiconductor [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2007 ; 19( 38): 386225/1-386225/8.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.iop.org/EJ/article/0953-8984/19/38/386225/cm7_38_386225.pdf?request-id=kvOzPTuD3BGnu00N3Ai7Kg
Artigo de periodico
Irradiation induced pulsations of reverse biased metal oxide/silicon structures (2007)
Finka, D.; Kiv, A.; Fuks, D.; Tabacniks, Manfredo ; Rizzutto, Marcia ; Silva, A. De O. D.; Chandra, A.; Golovanov, V.; Ivanovskaya, M.; Khirunenko, L.
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA NUCLEAR, SILÍCIO, COLISÕES DE ÍONS PESADOS RELATIVÍSTICOS, RESISTÊNCIA FÍSICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, FÍSICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FINKA, D. et al. Irradiation induced pulsations of reverse biased metal oxide/silicon structures. Applied Physics Letters, v. 91, n. 8, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2773950. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Finka, D., Kiv, A., Fuks, D., Tabacniks, M., Rizzutto, M., Silva, A. D. O. D., et al. (2007). Irradiation induced pulsations of reverse biased metal oxide/silicon structures. Applied Physics Letters, 91( 8). doi:10.1063/1.2773950
NLM
Finka D, Kiv A, Fuks D, Tabacniks M, Rizzutto M, Silva ADOD, Chandra A, Golovanov V, Ivanovskaya M, Khirunenko L. Irradiation induced pulsations of reverse biased metal oxide/silicon structures [Internet]. Applied Physics Letters. 2007 ; 91( 8):[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2773950
Vancouver
Finka D, Kiv A, Fuks D, Tabacniks M, Rizzutto M, Silva ADOD, Chandra A, Golovanov V, Ivanovskaya M, Khirunenko L. Irradiation induced pulsations of reverse biased metal oxide/silicon structures [Internet]. Applied Physics Letters. 2007 ; 91( 8):[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2773950
Artigo de periodico
First principles study of titanium-coated carbon nanotubes as sensors for carbon monoxide molecules (2007)
Mota, R; Fagan, Solange B; Fazzio, Adalberto
Fonte: Surface Science. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, R e FAGAN, Solange B e FAZZIO, Adalberto. First principles study of titanium-coated carbon nanotubes as sensors for carbon monoxide molecules. Surface Science, v. 601, n. 18, p. 4102-4104, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.susc.2007.04.165. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Mota, R., Fagan, S. B., & Fazzio, A. (2007). First principles study of titanium-coated carbon nanotubes as sensors for carbon monoxide molecules. Surface Science, 601( 18), 4102-4104. doi:10.1016/j.susc.2007.04.165
NLM
Mota R, Fagan SB, Fazzio A. First principles study of titanium-coated carbon nanotubes as sensors for carbon monoxide molecules [Internet]. Surface Science. 2007 ; 601( 18): 4102-4104.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2007.04.165
Vancouver
Mota R, Fagan SB, Fazzio A. First principles study of titanium-coated carbon nanotubes as sensors for carbon monoxide molecules [Internet]. Surface Science. 2007 ; 601( 18): 4102-4104.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2007.04.165
Trabalho de evento-resumo
Weak localization in p-type ¯lms of `Pb IND.1-X´`Eu IND.X´ Te (2007)
Peres, M L; Chitta, Valmir Antonio; Oliveira Jr., N. F.; Rappl, P H O; Ueta, A Y; Abramof, A
Fonte: Resumo. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Materia Condensada. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PERES, M L et al. Weak localization in p-type ¯lms of `Pb IND.1-X´`Eu IND.X´ Te. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0309-1.pdf. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Peres, M. L., Chitta, V. A., Oliveira Jr., N. F., Rappl, P. H. O., Ueta, A. Y., & Abramof, A. (2007). Weak localization in p-type ¯lms of `Pb IND.1-X´`Eu IND.X´ Te. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0309-1.pdf
NLM
Peres ML, Chitta VA, Oliveira Jr. NF, Rappl PHO, Ueta AY, Abramof A. Weak localization in p-type ¯lms of `Pb IND.1-X´`Eu IND.X´ Te [Internet]. Resumo. 2007 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0309-1.pdf
Vancouver
Peres ML, Chitta VA, Oliveira Jr. NF, Rappl PHO, Ueta AY, Abramof A. Weak localization in p-type ¯lms of `Pb IND.1-X´`Eu IND.X´ Te [Internet]. Resumo. 2007 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0309-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Molecular dynamics simulation of Al and Ca deposition on PPV surfaces (2007)
Giro, Ronaldo; Caldas, Marília Junqueira
Fonte: Resumo. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Materia Condensada. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GIRO, Ronaldo e CALDAS, Marília Junqueira. Molecular dynamics simulation of Al and Ca deposition on PPV surfaces. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0410-1.pdf. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Giro, R., & Caldas, M. J. (2007). Molecular dynamics simulation of Al and Ca deposition on PPV surfaces. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0410-1.pdf
NLM
Giro R, Caldas MJ. Molecular dynamics simulation of Al and Ca deposition on PPV surfaces [Internet]. Resumo. 2007 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0410-1.pdf
Vancouver
Giro R, Caldas MJ. Molecular dynamics simulation of Al and Ca deposition on PPV surfaces [Internet]. Resumo. 2007 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0410-1.pdf
Artigo de periodico
Superlattice magnetophonon resonances in strongly coupled InAs/GaSb superlattices (2007)
Deacon, R S; Nicholas, R J; Shields, P A (Clarendon Laboratory, University of Oxford, Oxford, United Kingdom); Henriques, André Bohomoletz
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DEACON, R S e NICHOLAS, R J e HENRIQUES, André Bohomoletz. Superlattice magnetophonon resonances in strongly coupled InAs/GaSb superlattices. Physical Review B, v. 76, n. 7, p. 075309/1-075309/8, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.76.075309. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Deacon, R. S., Nicholas, R. J., & Henriques, A. B. (2007). Superlattice magnetophonon resonances in strongly coupled InAs/GaSb superlattices. Physical Review B, 76( 7), 075309/1-075309/8. doi:10.1103/physrevb.76.075309
NLM
Deacon RS, Nicholas RJ, Henriques AB. Superlattice magnetophonon resonances in strongly coupled InAs/GaSb superlattices [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 76( 7): 075309/1-075309/8.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.76.075309
Vancouver
Deacon RS, Nicholas RJ, Henriques AB. Superlattice magnetophonon resonances in strongly coupled InAs/GaSb superlattices [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 76( 7): 075309/1-075309/8.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.76.075309
Trabalho de evento-resumo
Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells (2007)
Lourenço, Sidney Alves; Duarte, J L; Silva, M A T da; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.
Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
LOURENÇO, Sidney Alves et al. Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0894-1.pdf. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Lourenço, S. A., Duarte, J. L., Silva, M. A. T. da, Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., et al. (2007). Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0894-1.pdf
NLM
Lourenço SA, Duarte JL, Silva MAT da, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lamas TE, Quivy AA. Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells [Internet]. 2007 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0894-1.pdf
Vancouver
Lourenço SA, Duarte JL, Silva MAT da, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lamas TE, Quivy AA. Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells [Internet]. 2007 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0894-1.pdf
Artigo de periodico
Trimming Si surfaces for molecular electronics (2007)
Caldas, Marília Junqueira; Calzolari, A; Cucinotta, C S
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CALDAS, Marília Junqueira e CALZOLARI, A e CUCINOTTA, C S. Trimming Si surfaces for molecular electronics. Journal of Applied Physics, v. 101, n. 8, p. 081719/1-081719/5, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2723176. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Caldas, M. J., Calzolari, A., & Cucinotta, C. S. (2007). Trimming Si surfaces for molecular electronics. Journal of Applied Physics, 101( 8), 081719/1-081719/5. doi:10.1063/1.2723176
NLM
Caldas MJ, Calzolari A, Cucinotta CS. Trimming Si surfaces for molecular electronics [Internet]. Journal of Applied Physics. 2007 ; 101( 8): 081719/1-081719/5.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2723176
Vancouver
Caldas MJ, Calzolari A, Cucinotta CS. Trimming Si surfaces for molecular electronics [Internet]. Journal of Applied Physics. 2007 ; 101( 8): 081719/1-081719/5.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2723176
Artigo de periodico
Electronic and transport properties of boron-doped graphene nanoribbons (2007)
Martins, T B; Miwa, Roberto Hiroki; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physical Review Letters. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINS, T B et al. Electronic and transport properties of boron-doped graphene nanoribbons. Physical Review Letters, v. 98, n. 19, p. 196803/1-196803/4, 2007Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000098000019196803000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Martins, T. B., Miwa, R. H., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2007). Electronic and transport properties of boron-doped graphene nanoribbons. Physical Review Letters, 98( 19), 196803/1-196803/4. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000098000019196803000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Martins TB, Miwa RH, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic and transport properties of boron-doped graphene nanoribbons [Internet]. Physical Review Letters. 2007 ; 98( 19): 196803/1-196803/4.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000098000019196803000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Martins TB, Miwa RH, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic and transport properties of boron-doped graphene nanoribbons [Internet]. Physical Review Letters. 2007 ; 98( 19): 196803/1-196803/4.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000098000019196803000001&idtype=cvips&prog=normal
Trabalho de evento-anais periodico
In-segregation measurements by RHEED during growth: comparison between vicinal and nominal substrat (2007)
Martini, S; Quivy, A. A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Marques, E B
Fonte: AIP Conference Proceedings. Nome do evento: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINI, S et al. In-segregation measurements by RHEED during growth: comparison between vicinal and nominal substrat. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000017000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 15 nov. 2024. , 2007
APA
Martini, S., Quivy, A. A., Silva, E. C. F. da, & Marques, E. B. (2007). In-segregation measurements by RHEED during growth: comparison between vicinal and nominal substrat. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000017000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Martini S, Quivy AA, Silva ECF da, Marques EB. In-segregation measurements by RHEED during growth: comparison between vicinal and nominal substrat [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 17-18.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000017000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Martini S, Quivy AA, Silva ECF da, Marques EB. In-segregation measurements by RHEED during growth: comparison between vicinal and nominal substrat [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 17-18.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000017000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
Structural, electronic, and magnetic properties of Mn-doped Ge nanowires by ab initio calculations (2007)
Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, NANOPARTÍCULAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Structural, electronic, and magnetic properties of Mn-doped Ge nanowires by ab initio calculations. Physical Review B, v. 75, n. 11, p. 115113/1-115113/6, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.115113. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Arantes Junior, J. T., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2007). Structural, electronic, and magnetic properties of Mn-doped Ge nanowires by ab initio calculations. Physical Review B, 75( 11), 115113/1-115113/6. doi:10.1103/physrevb.75.115113
NLM
Arantes Junior JT, Silva AJR da, Fazzio A. Structural, electronic, and magnetic properties of Mn-doped Ge nanowires by ab initio calculations [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 11): 115113/1-115113/6.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.115113
Vancouver
Arantes Junior JT, Silva AJR da, Fazzio A. Structural, electronic, and magnetic properties of Mn-doped Ge nanowires by ab initio calculations [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 11): 115113/1-115113/6.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.115113

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