Growth and characterization of cubic InxGa1-xN epilayers on two different types of substrate (2005)
Fonte: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, CRISTALOGRAFIA, FEIXES, CRESCIMENTO DE CRISTAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
LEITE, J. R. e SCOLFARO, Luisa Maria Ribeiro. Growth and characterization of cubic InxGa1-xN epilayers on two different types of substrate. Journal of Crystal Growth, v. 284, n. 3-4, p. 379-387, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.07.049. Acesso em: 04 dez. 2025.APA
Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2005). Growth and characterization of cubic InxGa1-xN epilayers on two different types of substrate. Journal of Crystal Growth, 284( 3-4), 379-387. doi:10.1016/j.jcrysgro.2005.07.049NLM
Leite JR, Scolfaro LMR. Growth and characterization of cubic InxGa1-xN epilayers on two different types of substrate [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 284( 3-4): 379-387.[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.07.049Vancouver
Leite JR, Scolfaro LMR. Growth and characterization of cubic InxGa1-xN epilayers on two different types of substrate [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 284( 3-4): 379-387.[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.07.049
