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Trabalho de evento
MBE crystal growth (1991)
Basmaji, Pierre
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Brazilian School Semicondutores Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: CRESCIMENTO DE CRISTAIS, MATERIAIS, SEMICONDUTORES, FEIXES
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ABNT
BASMAJI, Pierre. MBE crystal growth. 1991, Anais.. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1991. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4d8b3802-cbd0-4eea-a366-08a4b3893a42/PROD001238_1546817.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Basmaji, P. (1991). MBE crystal growth. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/4d8b3802-cbd0-4eea-a366-08a4b3893a42/PROD001238_1546817.pdf
NLM
Basmaji P. MBE crystal growth [Internet]. Proceedings. 1991 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4d8b3802-cbd0-4eea-a366-08a4b3893a42/PROD001238_1546817.pdf
Vancouver
Basmaji P. MBE crystal growth [Internet]. Proceedings. 1991 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4d8b3802-cbd0-4eea-a366-08a4b3893a42/PROD001238_1546817.pdf
Material didatico
Teoria de crescimento de cristais (1990)
Hernandes, Antônio Carlos ; Gallo, Nelson José Heraldo; Andreeta, José Pedro
Nome do evento: Curso Nacional de Verão de Novos Materiais. Unidade: IFSC
Assunto: CRESCIMENTO DE CRISTAIS
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ABNT
HERNANDES, Antônio Carlos e GALLO, Nelson José Heraldo e ANDREETA, José Pedro. Teoria de crescimento de cristais. . São Carlos: Instituto de Física e Química de São Carlos/USP. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/91992e2d-badb-4ea8-980f-16df018a4296/PROD000454_1546989.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025. , 1990
APA
Hernandes, A. C., Gallo, N. J. H., & Andreeta, J. P. (1990). Teoria de crescimento de cristais. São Carlos: Instituto de Física e Química de São Carlos/USP. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/91992e2d-badb-4ea8-980f-16df018a4296/PROD000454_1546989.pdf
NLM
Hernandes AC, Gallo NJH, Andreeta JP. Teoria de crescimento de cristais [Internet]. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/91992e2d-badb-4ea8-980f-16df018a4296/PROD000454_1546989.pdf
Vancouver
Hernandes AC, Gallo NJH, Andreeta JP. Teoria de crescimento de cristais [Internet]. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/91992e2d-badb-4ea8-980f-16df018a4296/PROD000454_1546989.pdf
Trabalho de evento-resumo
Aplicacao de monocriatis de 'LI''NB''O IND.3' em transdutor eletroacustico (1989)
Oliveira, P W; Hernandes, Antônio Carlos ; Andreeta, José Pedro
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: CRESCIMENTO DE CRISTAIS
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ABNT
OLIVEIRA, P W e HERNANDES, Antônio Carlos e ANDREETA, José Pedro. Aplicacao de monocriatis de 'LI''NB''O IND.3' em transdutor eletroacustico. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/031ecb3d-93ee-407a-8b3c-f034b43c1379/PROD001068_786048.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Oliveira, P. W., Hernandes, A. C., & Andreeta, J. P. (1989). Aplicacao de monocriatis de 'LI''NB''O IND.3' em transdutor eletroacustico. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/031ecb3d-93ee-407a-8b3c-f034b43c1379/PROD001068_786048.pdf
NLM
Oliveira PW, Hernandes AC, Andreeta JP. Aplicacao de monocriatis de 'LI''NB''O IND.3' em transdutor eletroacustico [Internet]. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/031ecb3d-93ee-407a-8b3c-f034b43c1379/PROD001068_786048.pdf
Vancouver
Oliveira PW, Hernandes AC, Andreeta JP. Aplicacao de monocriatis de 'LI''NB''O IND.3' em transdutor eletroacustico [Internet]. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/031ecb3d-93ee-407a-8b3c-f034b43c1379/PROD001068_786048.pdf
Trabalho de evento-resumo
Influencia do campo eletrico na segregacao de dopantes durante o processo de crescimento de cristais ii - materiais semicondutores (1989)
Octaviano, E S; Andreeta, José Pedro
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: CRESCIMENTO DE CRISTAIS
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ABNT
OCTAVIANO, E S e ANDREETA, José Pedro. Influencia do campo eletrico na segregacao de dopantes durante o processo de crescimento de cristais ii - materiais semicondutores. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9581b184-7b2e-4d9c-905c-e9eab916256c/PROD001066_786039.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Octaviano, E. S., & Andreeta, J. P. (1989). Influencia do campo eletrico na segregacao de dopantes durante o processo de crescimento de cristais ii - materiais semicondutores. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/9581b184-7b2e-4d9c-905c-e9eab916256c/PROD001066_786039.pdf
NLM
Octaviano ES, Andreeta JP. Influencia do campo eletrico na segregacao de dopantes durante o processo de crescimento de cristais ii - materiais semicondutores [Internet]. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9581b184-7b2e-4d9c-905c-e9eab916256c/PROD001066_786039.pdf
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Octaviano ES, Andreeta JP. Influencia do campo eletrico na segregacao de dopantes durante o processo de crescimento de cristais ii - materiais semicondutores [Internet]. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9581b184-7b2e-4d9c-905c-e9eab916256c/PROD001066_786039.pdf
Trabalho de evento-resumo
Influencia do campo eletrico na segregacao de dopantes durante o processo de crescimento de cristais: caso i - materiais oxidos (1989)
Octaviano, E S; Andreeta, José Pedro
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: CRESCIMENTO DE CRISTAIS
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ABNT
OCTAVIANO, E S e ANDREETA, José Pedro. Influencia do campo eletrico na segregacao de dopantes durante o processo de crescimento de cristais: caso i - materiais oxidos. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b269ec29-bd7b-44b2-87ad-ce49186d5280/PROD001065_786034.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Octaviano, E. S., & Andreeta, J. P. (1989). Influencia do campo eletrico na segregacao de dopantes durante o processo de crescimento de cristais: caso i - materiais oxidos. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/b269ec29-bd7b-44b2-87ad-ce49186d5280/PROD001065_786034.pdf
NLM
Octaviano ES, Andreeta JP. Influencia do campo eletrico na segregacao de dopantes durante o processo de crescimento de cristais: caso i - materiais oxidos [Internet]. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b269ec29-bd7b-44b2-87ad-ce49186d5280/PROD001065_786034.pdf
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Octaviano ES, Andreeta JP. Influencia do campo eletrico na segregacao de dopantes durante o processo de crescimento de cristais: caso i - materiais oxidos [Internet]. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b269ec29-bd7b-44b2-87ad-ce49186d5280/PROD001065_786034.pdf
Artigo de periodico
Dielectric response of kcn crystals at ultra-low frequencies (1987)
Ziemath, E C; Aegerter, Michel André; Slaets, Jan Frans Willem
Fonte: Crystal Lattice Defects of Amorphous Materials. Unidade: IFSC
Assuntos: FÍSICA, CRESCIMENTO DE CRISTAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ZIEMATH, E C e AEGERTER, Michel André e SLAETS, Jan Frans Willem. Dielectric response of kcn crystals at ultra-low frequencies. Crystal Lattice Defects of Amorphous Materials, v. 15, p. 375-80, 1987Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0038-1098(86)90788-X. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Ziemath, E. C., Aegerter, M. A., & Slaets, J. F. W. (1987). Dielectric response of kcn crystals at ultra-low frequencies. Crystal Lattice Defects of Amorphous Materials, 15, 375-80. doi:10.1016/0038-1098(86)90788-X
NLM
Ziemath EC, Aegerter MA, Slaets JFW. Dielectric response of kcn crystals at ultra-low frequencies [Internet]. Crystal Lattice Defects of Amorphous Materials. 1987 ;15 375-80.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(86)90788-X
Vancouver
Ziemath EC, Aegerter MA, Slaets JFW. Dielectric response of kcn crystals at ultra-low frequencies [Internet]. Crystal Lattice Defects of Amorphous Materials. 1987 ;15 375-80.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(86)90788-X
Artigo de periodico
Dielectric measurement of silica aerogels (1987)
Santos, D I; Ziemath, E C; Silva, A. A.; Basso, Heitor Cury; Aegerter, Michel André
Fonte: Crystal Lattice Defects and Amorphous Materials. Unidade: IFSC
Assuntos: CRESCIMENTO DE CRISTAIS, FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, D I et al. Dielectric measurement of silica aerogels. Crystal Lattice Defects and Amorphous Materials, v. 15, p. 381-5, 1987Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.22028/D291-24129. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Santos, D. I., Ziemath, E. C., Silva, A. A., Basso, H. C., & Aegerter, M. A. (1987). Dielectric measurement of silica aerogels. Crystal Lattice Defects and Amorphous Materials, 15, 381-5. doi:10.22028/D291-24129
NLM
Santos DI, Ziemath EC, Silva AA, Basso HC, Aegerter MA. Dielectric measurement of silica aerogels [Internet]. Crystal Lattice Defects and Amorphous Materials. 1987 ;15 381-5.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.22028/D291-24129
Vancouver
Santos DI, Ziemath EC, Silva AA, Basso HC, Aegerter MA. Dielectric measurement of silica aerogels [Internet]. Crystal Lattice Defects and Amorphous Materials. 1987 ;15 381-5.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.22028/D291-24129
Trabalho de evento-resumo
Variacao da figura de merito (z) em ligas monocristalinas e sinterizadas 80'SI'-20'GE' (1987)
Assis, O B G; Scalvi, L V A; Mokross, Bernhard Joachim
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assuntos: FÍSICA TEÓRICA, CRESCIMENTO DE CRISTAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSIS, O B G e SCALVI, L V A e MOKROSS, Bernhard Joachim. Variacao da figura de merito (z) em ligas monocristalinas e sinterizadas 80'SI'-20'GE'. 1987, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1987. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7506a077-a756-4ea0-b855-6dd102328266/PROD000373_763803.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Assis, O. B. G., Scalvi, L. V. A., & Mokross, B. J. (1987). Variacao da figura de merito (z) em ligas monocristalinas e sinterizadas 80'SI'-20'GE'. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/7506a077-a756-4ea0-b855-6dd102328266/PROD000373_763803.pdf
NLM
Assis OBG, Scalvi LVA, Mokross BJ. Variacao da figura de merito (z) em ligas monocristalinas e sinterizadas 80'SI'-20'GE' [Internet]. Programa e Resumos. 1987 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7506a077-a756-4ea0-b855-6dd102328266/PROD000373_763803.pdf
Vancouver
Assis OBG, Scalvi LVA, Mokross BJ. Variacao da figura de merito (z) em ligas monocristalinas e sinterizadas 80'SI'-20'GE' [Internet]. Programa e Resumos. 1987 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7506a077-a756-4ea0-b855-6dd102328266/PROD000373_763803.pdf
Trabalho de evento-resumo
Epr do ion 'FE POT.3+' e 'NB POT.4+' em 'LI''NB''O IND.3' (1987)
Andreeta, José Pedro ; Nascimento, Otaciro Rangel ; Godoy, L H P; Terrile, Maria Cristina
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assuntos: CRESCIMENTO DE CRISTAIS, BIOFÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANDREETA, José Pedro et al. Epr do ion 'FE POT.3+' e 'NB POT.4+' em 'LI''NB''O IND.3'. 1987, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1987. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/26c57330-ad2e-4cc8-8ca6-1453703154dd/PROD000435_763802.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Andreeta, J. P., Nascimento, O. R., Godoy, L. H. P., & Terrile, M. C. (1987). Epr do ion 'FE POT.3+' e 'NB POT.4+' em 'LI''NB''O IND.3'. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/26c57330-ad2e-4cc8-8ca6-1453703154dd/PROD000435_763802.pdf
NLM
Andreeta JP, Nascimento OR, Godoy LHP, Terrile MC. Epr do ion 'FE POT.3+' e 'NB POT.4+' em 'LI''NB''O IND.3' [Internet]. Programa e Resumos. 1987 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/26c57330-ad2e-4cc8-8ca6-1453703154dd/PROD000435_763802.pdf
Vancouver
Andreeta JP, Nascimento OR, Godoy LHP, Terrile MC. Epr do ion 'FE POT.3+' e 'NB POT.4+' em 'LI''NB''O IND.3' [Internet]. Programa e Resumos. 1987 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/26c57330-ad2e-4cc8-8ca6-1453703154dd/PROD000435_763802.pdf

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