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Trabalho de evento-resumo
Electro-optical characterization of non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) (2009)
Dionysio, D. Olzon; Chubaci, Jose Fernando Diniz; Faria, Roberto Mendonça ; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo
Source: Program. Conference titles: International Symposium on Advanced Materials and Nanostructures - ISAMN. Unidades: IF, IFSC
Subjects: POLÍMEROS (MATERIAIS), DIODOS, EMISSÃO DE LUZ, QUÍMICA ORGÂNICA, FILMES FINOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
DIONYSIO, D. Olzon et al. Electro-optical characterization of non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD). 2009, Anais.. Santo André: Universidade Federal do ABC - UFABC, 2009. . Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Dionysio, D. O., Chubaci, J. F. D., Faria, R. M., & Guimarães, F. E. G. (2009). Electro-optical characterization of non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD). In Program. Santo André: Universidade Federal do ABC - UFABC.
NLM
Dionysio DO, Chubaci JFD, Faria RM, Guimarães FEG. Electro-optical characterization of non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD). Program. 2009 ;[citado 2024 nov. 15 ]
Vancouver
Dionysio DO, Chubaci JFD, Faria RM, Guimarães FEG. Electro-optical characterization of non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD). Program. 2009 ;[citado 2024 nov. 15 ]
Artigo de periodico
High-spin structure of 'ANTPOT. 37 Cl', intruder excitations, and the sd-fp shell gap (2009)
Bujor, M. Ionescu; Iordachescu, A.; Lenzi, S. M.; Napoli, D. R.; Marginean, N.; Medina, N. H.; Bazzacco, D.; Bucurescu, D.; Angelis, G.; Della Vedova, F.; Farnea, E.; Gadea, A.; Menegazzo, R.; Lunardi, S.; Ur, C. A.; Zílio, Sérgio Carlos ; Otsuka, T.; Utsuno, Y.
Source: Physical Review C. Unidades: IF, IFSC
Subjects: FÍSICA ATÔMICA, ENERGIA, SPIN, NÚCLEOS
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ABNT
BUJOR, M. Ionescu et al. High-spin structure of 'ANTPOT. 37 Cl', intruder excitations, and the sd-fp shell gap. Physical Review C, v. 80, n. 3, p. 034314-1-034314-12, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevC.80.034314. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Bujor, M. I., Iordachescu, A., Lenzi, S. M., Napoli, D. R., Marginean, N., Medina, N. H., et al. (2009). High-spin structure of 'ANTPOT. 37 Cl', intruder excitations, and the sd-fp shell gap. Physical Review C, 80( 3), 034314-1-034314-12. doi:10.1103/PhysRevC.80.034314
NLM
Bujor MI, Iordachescu A, Lenzi SM, Napoli DR, Marginean N, Medina NH, Bazzacco D, Bucurescu D, Angelis G, Della Vedova F, Farnea E, Gadea A, Menegazzo R, Lunardi S, Ur CA, Zílio SC, Otsuka T, Utsuno Y. High-spin structure of 'ANTPOT. 37 Cl', intruder excitations, and the sd-fp shell gap [Internet]. Physical Review C. 2009 ; 80( 3): 034314-1-034314-12.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevC.80.034314
Vancouver
Bujor MI, Iordachescu A, Lenzi SM, Napoli DR, Marginean N, Medina NH, Bazzacco D, Bucurescu D, Angelis G, Della Vedova F, Farnea E, Gadea A, Menegazzo R, Lunardi S, Ur CA, Zílio SC, Otsuka T, Utsuno Y. High-spin structure of 'ANTPOT. 37 Cl', intruder excitations, and the sd-fp shell gap [Internet]. Physical Review C. 2009 ; 80( 3): 034314-1-034314-12.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevC.80.034314
Trabalho de evento-resumo
Non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) for organic devices (2009)
Souza, Danilo Olzon Dionysio de; Faria, Roberto Mendonça ; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo ; Chubaci, José Fernando Diniz; Matsuoka, Masao
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada - ENFMC. Unidades: IFSC, IF
Subjects: POLÍMEROS (MATERIAIS), FILMES FINOS, ÓPTICA ELETRÔNICA (PROPRIEDADES)
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ABNT
SOUZA, Danilo Olzon Dionysio de et al. Non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) for organic devices. 2009, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2009. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/prog/xxxii_enfmc_abstracts.pdf. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Souza, D. O. D. de, Faria, R. M., Guimarães, F. E. G., Chubaci, J. F. D., & Matsuoka, M. (2009). Non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) for organic devices. In Livro de Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/prog/xxxii_enfmc_abstracts.pdf
NLM
Souza DOD de, Faria RM, Guimarães FEG, Chubaci JFD, Matsuoka M. Non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) for organic devices [Internet]. Livro de Resumos. 2009 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/prog/xxxii_enfmc_abstracts.pdf
Vancouver
Souza DOD de, Faria RM, Guimarães FEG, Chubaci JFD, Matsuoka M. Non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) for organic devices [Internet]. Livro de Resumos. 2009 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/prog/xxxii_enfmc_abstracts.pdf
Trabalho de evento-resumo
Propriedades optoeletrônicas de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD) (2009)
Dionysio, D. Olzon; Chubaci, Jose Fernando Diniz; Matusoka, M.; Faria, Roberto Mendonça ; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo
Source: Caderno de Resumos. Conference titles: Workshop da Pós-Graduação em Física do IFSC. Unidades: IF, IFSC
Subjects: ELÉTRONS, POLÍMEROS (MATERIAIS) (PROPRIEDADES ELÉTRICAS;APLICAÇÕES), ÓPTICA ELETRÔNICA
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ABNT
DIONYSIO, D. Olzon et al. Propriedades optoeletrônicas de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). 2009, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP, 2009. . Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Dionysio, D. O., Chubaci, J. F. D., Matusoka, M., Faria, R. M., & Guimarães, F. E. G. (2009). Propriedades optoeletrônicas de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). In Caderno de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP.
NLM
Dionysio DO, Chubaci JFD, Matusoka M, Faria RM, Guimarães FEG. Propriedades optoeletrônicas de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). Caderno de Resumos. 2009 ;[citado 2024 nov. 15 ]
Vancouver
Dionysio DO, Chubaci JFD, Matusoka M, Faria RM, Guimarães FEG. Propriedades optoeletrônicas de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). Caderno de Resumos. 2009 ;[citado 2024 nov. 15 ]

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