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Dissertação (Mestrado)
Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte (2023)
Carvalho, Henrique Lanfredi; Martino, João Antonio (Orientador) ; Rangel, Ricardo Cardoso (coorient)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, ALUMÍNIO
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ABNT
CARVALHO, Henrique Lanfredi. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte. 2023. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Carvalho, H. L. (2023). Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/
NLM
Carvalho HL. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte [Internet]. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/
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Carvalho HL. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte [Internet]. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/
Dissertação (Mestrado)
Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício (2022)
Sousa, Julia Cristina Soares; Der Agopian, Paula Ghedini (Orientador) ; Martino, João Antonio (coorient)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, AMPLIFICADORES
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ABNT
SOUSA, Julia Cristina Soares. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Sousa, J. C. S. (2022). Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/
NLM
Sousa JCS. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/
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Sousa JCS. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/
Dissertação (Mestrado)
Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET (2022)
Zangaro, Henrique Araújo; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
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ABNT
ZANGARO, Henrique Araújo. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Zangaro, H. A. (2022). Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/
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Zangaro HA. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/
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Zangaro HA. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/
Dissertação (Mestrado)
Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas (2022)
Leal, João Vitor da Costa; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA, BAIXA TEMPERATURA
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ABNT
LEAL, João Vitor da Costa. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Leal, J. V. da C. (2022). Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/
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Leal JV da C. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/
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Leal JV da C. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/
Dissertação (Mestrado)
Cálculo da tensão de restabelecimento transitória no domínio da frequência. (2021)
Pires Junior, Jonas Haleplian; Zanetta Júnior, Luiz Cera (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: DISJUNTORES, TRANSISTORES, EQUIPAMENTOS ELÉTRICOS, ENERGIA ELÉTRICA
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ABNT
PIRES JUNIOR, Jonas Haleplian. Cálculo da tensão de restabelecimento transitória no domínio da frequência. 2021. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2021. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3143/tde-02072021-102536/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Pires Junior, J. H. (2021). Cálculo da tensão de restabelecimento transitória no domínio da frequência. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3143/tde-02072021-102536/
NLM
Pires Junior JH. Cálculo da tensão de restabelecimento transitória no domínio da frequência. [Internet]. 2021 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3143/tde-02072021-102536/
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Pires Junior JH. Cálculo da tensão de restabelecimento transitória no domínio da frequência. [Internet]. 2021 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3143/tde-02072021-102536/
Dissertação (Mestrado)
Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. (2020)
Gonçalves, Guilherme Vieira; Martino, João Antonio (Orientador) ; Oliveira, Alberto Vinicius de (coorient)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES
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ABNT
GONÇALVES, Guilherme Vieira. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. 2020. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2020. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Gonçalves, G. V. (2020). Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/
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Gonçalves GV. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/
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Gonçalves GV. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/
Dissertação (Mestrado)
Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. (2019)
Peixoto, José Augusto Padovese; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, SENSORES ÓPTICOS, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PEIXOTO, José Augusto Padovese. Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. 2019. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2019. Disponível em: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Peixoto, J. A. P. (2019). Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/
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Peixoto JAP. Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. [Internet]. 2019 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/
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Peixoto JAP. Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. [Internet]. 2019 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/
Dissertação (Mestrado)
Produção de transistores orgânicos tipo p e n preparados por impressão jato de tinta (2019)
Matos, João Henrique Rocha; Faria, Roberto Mendonça (Orientador)
Unidade: EESC
Subjects: ELETRÔNICA, CIÊNCIA DA COMPUTAÇÃO, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MATOS, João Henrique Rocha. Produção de transistores orgânicos tipo p e n preparados por impressão jato de tinta. 2019. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2019. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-15012020-095123/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Matos, J. H. R. (2019). Produção de transistores orgânicos tipo p e n preparados por impressão jato de tinta (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-15012020-095123/
NLM
Matos JHR. Produção de transistores orgânicos tipo p e n preparados por impressão jato de tinta [Internet]. 2019 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-15012020-095123/
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Matos JHR. Produção de transistores orgânicos tipo p e n preparados por impressão jato de tinta [Internet]. 2019 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-15012020-095123/
Dissertação (Mestrado)
Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla (2018)
Torres, Henrique Lanza Faria; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: RADIAÇÃO IONIZANTE, TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TORRES, Henrique Lanza Faria. Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082018-151322/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Torres, H. L. F. (2018). Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082018-151322/
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Torres HLF. Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082018-151322/
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Torres HLF. Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082018-151322/
Dissertação (Mestrado)
Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados (2018)
Silva, Vanessa Cristina Pereira da; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: TRANSISTORES
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ABNT
SILVA, Vanessa Cristina Pereira da. Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11042018-091600/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Silva, V. C. P. da. (2018). Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11042018-091600/
NLM
Silva VCP da. Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11042018-091600/
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Silva VCP da. Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11042018-091600/
Dissertação (Mestrado)
Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB (2018)
Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORI, Carlos Augusto Bergfeld. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Mori, C. A. B. (2018). Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/
NLM
Mori CAB. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/
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Mori CAB. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/
Dissertação (Mestrado)
Análise de sistemas VSC-HVDC monopolar e bipolar frente impulsos com frente de onda íngreme (2018)
Lima, Thiago Melo de; Costa, Eduardo Coelho Marques da (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: DESCARGA ATMOSFÉRICA, CONVERSORES ELÉTRICOS, TRANSISTORES, TRANSPORTE DE ENERGIA, TRANSMISSÃO DE ENERGIA ELÉTRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, Thiago Melo de. Análise de sistemas VSC-HVDC monopolar e bipolar frente impulsos com frente de onda íngreme. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3143/tde-06022019-110448/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Lima, T. M. de. (2018). Análise de sistemas VSC-HVDC monopolar e bipolar frente impulsos com frente de onda íngreme (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3143/tde-06022019-110448/
NLM
Lima TM de. Análise de sistemas VSC-HVDC monopolar e bipolar frente impulsos com frente de onda íngreme [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3143/tde-06022019-110448/
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Lima TM de. Análise de sistemas VSC-HVDC monopolar e bipolar frente impulsos com frente de onda íngreme [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3143/tde-06022019-110448/
Dissertação (Mestrado)
Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET (2018)
Yojo, Leonardo Shimizu; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
YOJO, Leonardo Shimizu. Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Yojo, L. S. (2018). Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/
NLM
Yojo LS. Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/
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Yojo LS. Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/
Dissertação (Mestrado)
Fault location in transmission lines using time-domain equations (2018)
Pino, Gabriel; Manassero Junior, Giovanni (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: LINHAS DE TRANSMISSÃO DE ENERGIA ELÉTRICA, TRANSISTORES, IMPEDÂNCIA ELÉTRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PINO, Gabriel. Fault location in transmission lines using time-domain equations. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3143/tde-28082018-133153/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Pino, G. (2018). Fault location in transmission lines using time-domain equations (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3143/tde-28082018-133153/
NLM
Pino G. Fault location in transmission lines using time-domain equations [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3143/tde-28082018-133153/
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Pino G. Fault location in transmission lines using time-domain equations [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3143/tde-28082018-133153/
Dissertação (Mestrado)
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs (2017)
Macambira, Christian Nemeth; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO, TEMPERATURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MACAMBIRA, Christian Nemeth. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Macambira, C. N. (2017). Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/
NLM
Macambira CN. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. 2017 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/
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Macambira CN. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. 2017 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/
Dissertação (Mestrado)
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados (2017)
Nascimento, Vinicius Mesquita do; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NASCIMENTO, Vinicius Mesquita do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Nascimento, V. M. do. (2017). Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/
NLM
Nascimento VM do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados [Internet]. 2017 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/
Vancouver
Nascimento VM do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados [Internet]. 2017 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/
Dissertação (Mestrado)
Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas (2017)
Caparroz, Luís Felipe Vicentis; Der Agopian, Paula Ghedini (Orientador); Martino, João Antonio (coorient)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO, BAIXA TEMPERATURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAPARROZ, Luís Felipe Vicentis. Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Caparroz, L. F. V. (2017). Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/
NLM
Caparroz LFV. Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/
Vancouver
Caparroz LFV. Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/
Dissertação (Mestrado)
Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio (2016)
Sivieri, Victor de Bodt; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIVIERI, Victor de Bodt. Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio. 2016. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062016-074906/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Sivieri, V. de B. (2016). Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062016-074906/
NLM
Sivieri V de B. Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062016-074906/
Vancouver
Sivieri V de B. Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062016-074906/
Dissertação (Mestrado)
Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET) (2016)
Bertoldo, Marcelo; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, RADIAÇÃO IONIZANTE, TRANSISTORES
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ABNT
BERTOLDO, Marcelo. Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET). 2016. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012017-082703/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Bertoldo, M. (2016). Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET) (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012017-082703/
NLM
Bertoldo M. Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET) [Internet]. 2016 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012017-082703/
Vancouver
Bertoldo M. Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET) [Internet]. 2016 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012017-082703/
Dissertação (Mestrado)
Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET (2014)
Rangel, Ricardo Cardoso; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA, FABRICAÇÃO (MICROELETRÔNICA), DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RANGEL, Ricardo Cardoso. Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET. 2014. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Rangel, R. C. (2014). Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/
NLM
Rangel RC. Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET [Internet]. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/
Vancouver
Rangel RC. Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET [Internet]. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/

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