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Artigo de periodico
Universal zero-bias conductance for the single-electron transistor (2009)
Yoshida, M.; Seridonio, A. C.; Oliveira, Luiz Nunes de
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, MAGNETISMO, SPIN, TRANSISTORES
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ABNT
YOSHIDA, M. e SERIDONIO, A. C. e OLIVEIRA, Luiz Nunes de. Universal zero-bias conductance for the single-electron transistor. Physical Review B, v. 80, n. 23, p. 235317-1-235317-22, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.80.235317. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Yoshida, M., Seridonio, A. C., & Oliveira, L. N. de. (2009). Universal zero-bias conductance for the single-electron transistor. Physical Review B, 80( 23), 235317-1-235317-22. doi:10.1103/PhysRevB.80.235317
NLM
Yoshida M, Seridonio AC, Oliveira LN de. Universal zero-bias conductance for the single-electron transistor [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 80( 23): 235317-1-235317-22.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.80.235317
Vancouver
Yoshida M, Seridonio AC, Oliveira LN de. Universal zero-bias conductance for the single-electron transistor [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 80( 23): 235317-1-235317-22.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.80.235317
Dissertação (Mestrado)
Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado (2009)
Nicoletti, Talitha; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA
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ABNT
NICOLETTI, Talitha. Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado. 2009. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2009. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22042010-152153/. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Nicoletti, T. (2009). Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22042010-152153/
NLM
Nicoletti T. Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado [Internet]. 2009 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22042010-152153/
Vancouver
Nicoletti T. Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado [Internet]. 2009 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22042010-152153/
Trabalho de evento-resumo
Estudo das propriedades elétricas de materiais poliméricos e sua aplicação em transistores (2009)
Sousa, Washington da Silva; Faria, Roberto Mendonça
Source: Caderno de Resumos. Conference titles: Workshop da Pós-Graduação em Física do IFSC. Unidade: IFSC
Subjects: TRANSISTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS) (PROPRIEDADES ELÉTRICAS;APLICAÇÕES), CONDUÇÃO
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ABNT
SOUSA, Washington da Silva e FARIA, Roberto Mendonça. Estudo das propriedades elétricas de materiais poliméricos e sua aplicação em transistores. 2009, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP, 2009. . Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Sousa, W. da S., & Faria, R. M. (2009). Estudo das propriedades elétricas de materiais poliméricos e sua aplicação em transistores. In Caderno de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP.
NLM
Sousa W da S, Faria RM. Estudo das propriedades elétricas de materiais poliméricos e sua aplicação em transistores. Caderno de Resumos. 2009 ;[citado 2024 out. 16 ]
Vancouver
Sousa W da S, Faria RM. Estudo das propriedades elétricas de materiais poliméricos e sua aplicação em transistores. Caderno de Resumos. 2009 ;[citado 2024 out. 16 ]
Artigo de periodico
Thermal dependence of the zero-bias conductance through a nanostructure (2009)
Seridonio, A. C.; Yoshida, M.; Oliveira, Luiz Nunes de
Source: Europhysics Letters. Unidade: IFSC
Subjects: FÍSICA TEÓRICA, POÇOS QUÂNTICOS, TRANSISTORES
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ABNT
SERIDONIO, A. C. e YOSHIDA, M. e OLIVEIRA, Luiz Nunes de. Thermal dependence of the zero-bias conductance through a nanostructure. Europhysics Letters, v. 86, n. 6, p. 67006-p1-67006-p6, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1209/0295-5075/86/67006. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Seridonio, A. C., Yoshida, M., & Oliveira, L. N. de. (2009). Thermal dependence of the zero-bias conductance through a nanostructure. Europhysics Letters, 86( 6), 67006-p1-67006-p6. doi:10.1209/0295-5075/86/67006
NLM
Seridonio AC, Yoshida M, Oliveira LN de. Thermal dependence of the zero-bias conductance through a nanostructure [Internet]. Europhysics Letters. 2009 ; 86( 6): 67006-p1-67006-p6.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1209/0295-5075/86/67006
Vancouver
Seridonio AC, Yoshida M, Oliveira LN de. Thermal dependence of the zero-bias conductance through a nanostructure [Internet]. Europhysics Letters. 2009 ; 86( 6): 67006-p1-67006-p6.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1209/0295-5075/86/67006
Trabalho de evento-resumo
Sensores de pH baseados no sistema PPID/NiTsPc (2009)
Vieira, Nirton C. S.; Zucolotto, Valtencir ; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo
Source: Caderno de Resumos. Conference titles: Workshop da Pós-Graduação em Física do IFSC. Unidade: IFSC
Subjects: FILMES FINOS, TRANSISTORES, ENZIMAS
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ABNT
VIEIRA, Nirton C. S. e ZUCOLOTTO, Valtencir e GUIMARÃES, Francisco Eduardo Gontijo. Sensores de pH baseados no sistema PPID/NiTsPc. 2009, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP, 2009. . Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Vieira, N. C. S., Zucolotto, V., & Guimarães, F. E. G. (2009). Sensores de pH baseados no sistema PPID/NiTsPc. In Caderno de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP.
NLM
Vieira NCS, Zucolotto V, Guimarães FEG. Sensores de pH baseados no sistema PPID/NiTsPc. Caderno de Resumos. 2009 ;[citado 2024 out. 16 ]
Vancouver
Vieira NCS, Zucolotto V, Guimarães FEG. Sensores de pH baseados no sistema PPID/NiTsPc. Caderno de Resumos. 2009 ;[citado 2024 out. 16 ]
Trabalho de evento-resumo
Simulação de propriedades eletrônicas de HEMTs (2009)
Scigliano, Keila B.; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Caderno de Resumos. Conference titles: Workshop da Pós-Graduação em Física do IFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES (ESTUDO), SIMULAÇÃO DE SISTEMAS, TRANSISTORES
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ABNT
SCIGLIANO, Keila B. e SIPAHI, Guilherme Matos. Simulação de propriedades eletrônicas de HEMTs. 2009, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP, 2009. . Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Scigliano, K. B., & Sipahi, G. M. (2009). Simulação de propriedades eletrônicas de HEMTs. In Caderno de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP.
NLM
Scigliano KB, Sipahi GM. Simulação de propriedades eletrônicas de HEMTs. Caderno de Resumos. 2009 ;[citado 2024 out. 16 ]
Vancouver
Scigliano KB, Sipahi GM. Simulação de propriedades eletrônicas de HEMTs. Caderno de Resumos. 2009 ;[citado 2024 out. 16 ]

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