Simulação de propriedades eletrônicas de HEMTs (2009)
- Authors:
- Autor USP: SIPAHI, GUILHERME MATOS - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: SEMICONDUTORES (ESTUDO); SIMULAÇÃO DE SISTEMAS; TRANSISTORES
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Instituto de Física de São Carlos - USP
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 2009
- Source:
- Título: Caderno de Resumos
- Conference titles: Workshop da Pós-Graduação em Física do IFSC
-
ABNT
SCIGLIANO, Keila B. e SIPAHI, Guilherme Matos. Simulação de propriedades eletrônicas de HEMTs. 2009, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP, 2009. . Acesso em: 27 jan. 2026. -
APA
Scigliano, K. B., & Sipahi, G. M. (2009). Simulação de propriedades eletrônicas de HEMTs. In Caderno de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP. -
NLM
Scigliano KB, Sipahi GM. Simulação de propriedades eletrônicas de HEMTs. Caderno de Resumos. 2009 ;[citado 2026 jan. 27 ] -
Vancouver
Scigliano KB, Sipahi GM. Simulação de propriedades eletrônicas de HEMTs. Caderno de Resumos. 2009 ;[citado 2026 jan. 27 ] - Acelerando uma aplicação cientifica com o uso de computação heterogênea
- Brewing a new mesoscopic scale approach to semiconductor physics with high performance computing: a succesfull case
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