Electrons at gaas-algaas heterojunctions in parallel magnetic fields (1988)
Source: Fisica Y Tecnologia de Semicondutores. Unidade: IF
Assunto: CAMPO MAGNÉTICO
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ABNT
GOMES, V M S et al. Electrons at gaas-algaas heterojunctions in parallel magnetic fields. Fisica Y Tecnologia de Semicondutores, v. 3 , p. 50-64, 1988Tradução . . Acesso em: 16 nov. 2024.APA
Gomes, V. M. S., Oliveira, G. M. G., Leite, J. R., & Chaves, A. S. (1988). Electrons at gaas-algaas heterojunctions in parallel magnetic fields. Fisica Y Tecnologia de Semicondutores, 3 , 50-64.NLM
Gomes VMS, Oliveira GMG, Leite JR, Chaves AS. Electrons at gaas-algaas heterojunctions in parallel magnetic fields. Fisica Y Tecnologia de Semicondutores. 1988 ;3 50-64.[citado 2024 nov. 16 ]Vancouver
Gomes VMS, Oliveira GMG, Leite JR, Chaves AS. Electrons at gaas-algaas heterojunctions in parallel magnetic fields. Fisica Y Tecnologia de Semicondutores. 1988 ;3 50-64.[citado 2024 nov. 16 ]
