Electronic properties of the iron-boron impurity pair in silicon (1987)
Assali, Lucy Vitoria Credidio 
; Leite, J. R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: ELETRÔNICA
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ABNT
ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e LEITE, J. R. Electronic properties of the iron-boron impurity pair in silicon. Physical Review B, v. 36, n. 2 , p. 1296-9, 1987Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.36.1296. Acesso em: 27 nov. 2025.APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1987). Electronic properties of the iron-boron impurity pair in silicon. Physical Review B, 36( 2 ), 1296-9. doi:10.1103/physrevb.36.1296NLM
Assali LVC, Leite JR. Electronic properties of the iron-boron impurity pair in silicon [Internet]. Physical Review B. 1987 ;36( 2 ): 1296-9.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.36.1296Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Electronic properties of the iron-boron impurity pair in silicon [Internet]. Physical Review B. 1987 ;36( 2 ): 1296-9.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.36.1296
