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  • Source: Surface Science. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, QUÍMICA, FÍSICA

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    • ABNT

      CUCINOTTA, C S et al. First-principles investigation of functionalization-defects on silicon surfaces. Surface Science, v. 600, n. 18, p. 3892-3897, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.susc.2006.01.099. Acesso em: 27 nov. 2025.
    • APA

      Cucinotta, C. S., Bonferroni, B., Ferretti, A., Ruini, A., Caldas, M. J., & Molinari, E. (2006). First-principles investigation of functionalization-defects on silicon surfaces. Surface Science, 600( 18), 3892-3897. doi:10.1016/j.susc.2006.01.099
    • NLM

      Cucinotta CS, Bonferroni B, Ferretti A, Ruini A, Caldas MJ, Molinari E. First-principles investigation of functionalization-defects on silicon surfaces [Internet]. Surface Science. 2006 ; 600( 18): 3892-3897.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2006.01.099
    • Vancouver

      Cucinotta CS, Bonferroni B, Ferretti A, Ruini A, Caldas MJ, Molinari E. First-principles investigation of functionalization-defects on silicon surfaces [Internet]. Surface Science. 2006 ; 600( 18): 3892-3897.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2006.01.099
  • Source: Surface Science. Unidade: IFSC

    Assunto: FÍSICA

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    • ABNT

      DEGANI, Marcos Henrique e HIPÓLITO, Oscar. Electro-interface-phonon interaction in 'GA''AS' / alas and inas / gasb heterojunctions. Surface Science, v. 196, n. 1-3, p. 459-65, 1988Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0039-6028(88)90726-1. Acesso em: 27 nov. 2025.
    • APA

      Degani, M. H., & Hipólito, O. (1988). Electro-interface-phonon interaction in 'GA''AS' / alas and inas / gasb heterojunctions. Surface Science, 196( 1-3), 459-65. doi:10.1016/0039-6028(88)90726-1
    • NLM

      Degani MH, Hipólito O. Electro-interface-phonon interaction in 'GA''AS' / alas and inas / gasb heterojunctions [Internet]. Surface Science. 1988 ;196( 1-3): 459-65.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0039-6028(88)90726-1
    • Vancouver

      Degani MH, Hipólito O. Electro-interface-phonon interaction in 'GA''AS' / alas and inas / gasb heterojunctions [Internet]. Surface Science. 1988 ;196( 1-3): 459-65.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0039-6028(88)90726-1
  • Source: Surface Science. Unidade: IFSC

    Subjects: FÍSICA, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      MARQUES, G E et al. Bound magnetic polaron in semimagnetic semiconductor heterostructures. Surface Science, v. 196, n. 1-3, p. 659-64, 1988Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0039-6028(88)90757-1. Acesso em: 27 nov. 2025.
    • APA

      Marques, G. E., Chitta, V. A., Degani, M. H., & Hipólito, O. (1988). Bound magnetic polaron in semimagnetic semiconductor heterostructures. Surface Science, 196( 1-3), 659-64. doi:10.1016/0039-6028(88)90757-1
    • NLM

      Marques GE, Chitta VA, Degani MH, Hipólito O. Bound magnetic polaron in semimagnetic semiconductor heterostructures [Internet]. Surface Science. 1988 ;196( 1-3): 659-64.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0039-6028(88)90757-1
    • Vancouver

      Marques GE, Chitta VA, Degani MH, Hipólito O. Bound magnetic polaron in semimagnetic semiconductor heterostructures [Internet]. Surface Science. 1988 ;196( 1-3): 659-64.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0039-6028(88)90757-1

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