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Artigo de periodico
High mobility of a three-dimensional hole gas in parabolic quantum wells grown on GaAs(311)A substrates (2005)
Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Sérgio, C. S.; Gusev, Guennadii Michailovich; Portal, J C
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
LAMAS, T. E. et al. High mobility of a three-dimensional hole gas in parabolic quantum wells grown on GaAs(311)A substrates. Journal of Applied Physics, v. 97, p. 076107, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1888041. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Lamas, T. E., Quivy, A. A., Sérgio, C. S., Gusev, G. M., & Portal, J. C. (2005). High mobility of a three-dimensional hole gas in parabolic quantum wells grown on GaAs(311)A substrates. Journal of Applied Physics, 97, 076107. doi:10.1063/1.1888041
NLM
Lamas TE, Quivy AA, Sérgio CS, Gusev GM, Portal JC. High mobility of a three-dimensional hole gas in parabolic quantum wells grown on GaAs(311)A substrates [Internet]. Journal of Applied Physics. 2005 ; 97 076107.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1888041
Vancouver
Lamas TE, Quivy AA, Sérgio CS, Gusev GM, Portal JC. High mobility of a three-dimensional hole gas in parabolic quantum wells grown on GaAs(311)A substrates [Internet]. Journal of Applied Physics. 2005 ; 97 076107.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1888041
Artigo de periodico
Hydrostatic pressure studies of GaAs tunnel diodes (1998)
Beji, L; El Jani, B; Gibart, P; Portal, J C; Basmaji, Pierre
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), SEMICONDUTORES
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ABNT
BEJI, L et al. Hydrostatic pressure studies of GaAs tunnel diodes. Journal of Applied Physics, v. 83, n. 10, p. 5573-5575, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.367394. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Beji, L., El Jani, B., Gibart, P., Portal, J. C., & Basmaji, P. (1998). Hydrostatic pressure studies of GaAs tunnel diodes. Journal of Applied Physics, 83( 10), 5573-5575. doi:10.1063/1.367394
NLM
Beji L, El Jani B, Gibart P, Portal JC, Basmaji P. Hydrostatic pressure studies of GaAs tunnel diodes [Internet]. Journal of Applied Physics. 1998 ; 83( 10): 5573-5575.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.367394
Vancouver
Beji L, El Jani B, Gibart P, Portal JC, Basmaji P. Hydrostatic pressure studies of GaAs tunnel diodes [Internet]. Journal of Applied Physics. 1998 ; 83( 10): 5573-5575.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.367394
Artigo de periodico
Electronic transport in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' layers (1991)
Egues, José Carlos ; Barbosa, J C; Notari, A C; Basmaji, Pierre; Ioriatti Júnior, Lidério Citrângulo; Ranz, E; Portal, J C
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
EGUES, José Carlos et al. Electronic transport in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' layers. Journal of Applied Physics, v. 70, n. 7 , p. 3678-80, 1991Tradução . . Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Egues, J. C., Barbosa, J. C., Notari, A. C., Basmaji, P., Ioriatti Júnior, L. C., Ranz, E., & Portal, J. C. (1991). Electronic transport in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' layers. Journal of Applied Physics, 70( 7 ), 3678-80.
NLM
Egues JC, Barbosa JC, Notari AC, Basmaji P, Ioriatti Júnior LC, Ranz E, Portal JC. Electronic transport in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' layers. Journal of Applied Physics. 1991 ;70( 7 ): 3678-80.[citado 2025 nov. 08 ]
Vancouver
Egues JC, Barbosa JC, Notari AC, Basmaji P, Ioriatti Júnior LC, Ranz E, Portal JC. Electronic transport in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' layers. Journal of Applied Physics. 1991 ;70( 7 ): 3678-80.[citado 2025 nov. 08 ]

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