Torres, Ani Sobral; Mansano, Ronaldo Domingues (Orientador) 
Assuntos: PLASMA (MICROELETRÔNICA), SILÍCIO
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ABNT
TORRES, Ani Sobral. Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD). 2002. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002. . Acesso em: 18 set. 2024.APA
Torres, A. S. (2002). Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD) (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.NLM
Torres AS. Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD). 2002 ;[citado 2024 set. 18 ]Vancouver
Torres AS. Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD). 2002 ;[citado 2024 set. 18 ]
