Exportar registro bibliográfico

Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD) (2002)

  • Authors:
  • USP affiliated author: TORRES, ANI SOBRAL - EP
  • School: EP
  • Sigla do Departamento: PSI
  • Subjects: PLASMA (MICROELETRÔNICA); SILÍCIO
  • Language: Português
  • Abstract: Neste trabalho foram depositados filmes de óxido de silício por deposição química a vapor assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD). Através dessa técnica, pode-se obter filmes de óxido de silício a baixa temperatura (25°C) e com altas taxas de deposição (> 10 nm/min), com satisfatórias características físicas, químicas e elétricas se comparadas as dos filmes obtidos por outras técnicas de deposição (PECVD, LPCVD, etc). Objetiva-se, assim, a utilização destes filmes para aplicações como camada de interconexão e em pós-processamento. Foram utilizados os gases silana e diclorosilana como fonte de silício associados ao óxido nitroso. Os parâmetros de processo variados foram composição gasosa, variando a relação N2O/SiH4 ou N2O/SiH2Cl2 e a potência de RF aplicada na geração do plasma. Nos filmes depositados com o uso da silana, foram obtidas taxas de deposição da ordem de 12 nm/min, maiores que as taxas de deposição dos filmes obtidos com diclorosilana (em torno de 2 nm/min) Foram realizados recozimentos térmicos 430°C, 600°C e 850°C e constatou-se a diminuição da contaminação por hidrogênio (através da técnica de infravermelho) com o recozimento térmico e a formação de cristalitos de silício constatados com o uso da técnica de difração de raios X. Os filmes obtidos com o uso da silana em proporção gasosa igual a 3 e com altas potências de RF (>100 W) apresentaram melhores características elétricas, apropriadas para aplicaçõescomo material de interconexão de circuitos integrados
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 10.12.2002

  • How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TORRES, Ani Sobral; MANSANO, Ronaldo Domingues. Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD). 2002.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002.
    • APA

      Torres, A. S., & Mansano, R. D. (2002). Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Torres AS, Mansano RD. Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD). 2002 ;
    • Vancouver

      Torres AS, Mansano RD. Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD). 2002 ;


Digital Library of Intellectual Production of Universidade de São Paulo     2012 - 2022