Torres, Ani Sobral; Mansano, Ronaldo Domingues (Orientador) 
Subjects: PLASMA (MICROELETRÔNICA), SILÍCIO
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ABNT
TORRES, Ani Sobral. Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD). 2002. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102024-111629/pt-br.php. Acesso em: 19 out. 2024.APA
Torres, A. S. (2002). Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD) (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102024-111629/pt-br.phpNLM
Torres AS. Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD) [Internet]. 2002 ;[citado 2024 out. 19 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102024-111629/pt-br.phpVancouver
Torres AS. Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD) [Internet]. 2002 ;[citado 2024 out. 19 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102024-111629/pt-br.php
