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Trabalho de evento-resumo
Interface roughness in InGaAs/InP heterostructures (2008)
Pusep, Yuri A.; Gozzo, G. C.; LaPierre, R. R.
Source: Abstracts. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, ÓPTICA ELETRÔNICA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
PUSEP, Yuri A. e GOZZO, G. C. e LAPIERRE, R. R. Interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. 2008, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat, 2008. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G503.pdf. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Gozzo, G. C., & LaPierre, R. R. (2008). Interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. In Abstracts. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G503.pdf
NLM
Pusep YA, Gozzo GC, LaPierre RR. Interface roughness in InGaAs/InP heterostructures [Internet]. Abstracts. 2008 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G503.pdf
Vancouver
Pusep YA, Gozzo GC, LaPierre RR. Interface roughness in InGaAs/InP heterostructures [Internet]. Abstracts. 2008 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G503.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices (2007)
Pusep, Yuri A.; Rodrigues, A. Giovanni; Galzerani, J. C.; Cornet, D. M.; Comedi, D.; LaPierre, R. R.
Source: AIP Conference Proceedings. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, EFEITO RAMAN, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, MAGNETISMO, POLARIZAÇÃO
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices. AIP Conference Proceedings. Melville: American Institute of Physics - AIP. Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2729927. Acesso em: 14 set. 2024. , 2007
APA
Pusep, Y. A., Rodrigues, A. G., Galzerani, J. C., Cornet, D. M., Comedi, D., & LaPierre, R. R. (2007). Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices. AIP Conference Proceedings. Melville: American Institute of Physics - AIP. doi:10.1063/1.2729927
NLM
Pusep YA, Rodrigues AG, Galzerani JC, Cornet DM, Comedi D, LaPierre RR. Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893( 1): 385-386.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2729927
Vancouver
Pusep YA, Rodrigues AG, Galzerani JC, Cornet DM, Comedi D, LaPierre RR. Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893( 1): 385-386.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2729927
Artigo de periodico
High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices (2006)
Cornet, D. M.; LaPierre, R. R.; Comedi, D.; Pusep, Yuri A.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ÓPTICA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
CORNET, D. M. et al. High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices. Journal of Applied Physics, v. 100, n. 4, p. 043518-1-043518-6, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2335689. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Cornet, D. M., LaPierre, R. R., Comedi, D., & Pusep, Y. A. (2006). High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices. Journal of Applied Physics, 100( 4), 043518-1-043518-6. doi:10.1063/1.2335689
NLM
Cornet DM, LaPierre RR, Comedi D, Pusep YA. High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; 100( 4): 043518-1-043518-6.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2335689
Vancouver
Cornet DM, LaPierre RR, Comedi D, Pusep YA. High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; 100( 4): 043518-1-043518-6.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2335689

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